[发明专利]薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术领域，特别是涉及一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板。

背景技术

在显示领域里，随着大尺寸及高驱动频率产品的日益普及，低电阻的铜(Cu)配线技术已经愈来愈受关注。但是Cu薄膜存在和玻璃、半导体层的接触附着力差的问题，因此，在制作Cu配线之前需要采用与玻璃、半导体层接触好的金属层作为缓冲层。

各个面板厂商进行了Cu技术开发，初期使用Ti或者MoTi作为缓冲材料。随着对Cu材料研究的深入，Mo及MoW、MoTa等钼合金材料被开发并应用到了Cu配线的制造中，但是这两代缓冲层都有一个共同的问题，就是在Cu薄膜的刻蚀工艺中，因为Cu和Mo合金的腐蚀电位不同，刻蚀容易产生倒角或者残留等问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板，针对附着力不好的金属薄膜(尤其是金属铜薄膜)，提供性能良好的缓冲层。

为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括：

形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；

其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。

如上所述的制备方法，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。

如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A和第二金属B的合金中，所述第二金属B的摩尔含量为1﹪～10﹪。

如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A为铜。

如上所述的制备方法，优选的是，所述含氧气体包括氧气和氩气，其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30～1:3。

如上所述的制备方法，优选的是，在80℃～250℃的温度条件下，进行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，在制备第一金属A薄膜的步骤之前还包括：

形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；

其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。

如上所述的制备方法，优选的是，包括制备薄膜晶体管的步骤；

所述第一金属A薄膜包括形成栅电极的栅金属薄膜，以及形成源电极和漏电极的源漏金属薄膜。

本发明还提供一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，还包括与所述第一金属A薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案；

其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，所述ABOx薄膜位于所述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。

如上所述的阵列基板，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。

如上所述的阵列基板，优选的是，所述第一金属A为铜。

如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板包括薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；

所述栅电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层；

所述源电极和漏电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，对于附着力不好的第一金属A薄膜，在形成第一金属A薄膜之前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属，易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本发明实施例中制备金属薄膜的流程图；