[发明专利]薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201410258172.9 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104064454A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 姚琪;张锋;曹占锋;李正亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/12;H01L29/45;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 阵列 制备 方法 | ||
1.一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括：
形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；
其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属B为钙或镁。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A和第二金属B的合金中，所述第二金属B的摩尔含量为1﹪～10﹪。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A为铜。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧气和氩气，其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30～1:3。
6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在80℃～250℃的温度条件下，进行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺。
7.一种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，制备第一金属A薄膜的步骤之前还包括：
形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；
其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，包括制备薄膜晶体管的步骤；
所述第一金属A薄膜包括形成栅电极的栅金属薄膜，以及形成源电极和漏电极的源漏金属薄膜。
9.一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，其特征在于，还包括与所述第一金属A薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案；
其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，所述ABOx薄膜位于所述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属B为钙或镁。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属A为铜。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；
所述栅电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层；
所述源电极和漏电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
