[发明专利]监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法

权利要求书

1.一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于包括：

在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；

收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；

将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；

将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。

2.根据权利要求1所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，采用扫描机对晶圆进行缺陷扫描。

3.根据权利要求2所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，在将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住的步骤中，扫描机将缺陷扫描数据传递给空间特征分析处理器，空间特征分析处理器与制造执行系统联通，如果空间特征分析处理器根据扫描机传递的缺陷扫描数据自动筛选出大颗粒缺陷，并且将筛选结果传到制造执行系统。

4.根据权利要求3所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，制造执行系统采用特定信息提醒操作人员。

5.根据权利要求4所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，特定信号可包括语音提醒信息或者灯光提醒信或者文字信息。

6.根据权利要求1或2所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，特征信息包括缺陷的周长、面积、长度和宽度。