[发明专利]一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410246919.9 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104030294A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 古宏晨;王耀 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 二氧化硅 包覆单壁碳 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将单壁碳纳米管、表面活性剂和去离子水按质量比为1:1~100:5000~20000进行混合,超声分散5~720分钟,得到溶液a;

(2)将所述溶液a的pH值调节到8.0~12.0之间,加入四烷氧基硅和硅烷偶联剂,在25℃~75℃条件下反应,得到溶液b;

(3)将所述溶液b离心分离,得到黑色沉淀,将所述黑色沉淀去除模板,得到的产物即为所述介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述表面活性剂为阳离子表面活性剂十四烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵和十八烷基三甲基氯化铵中的一种或上述几种中的任意多种的任意配比。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述四烷氧基硅为正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯和正硅酸四丙酯中的一种或上述几种中的任意多种的任意配比。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硅烷偶联剂的端基为氨基、巯基、甲基磷酸基、烷基链、环氧基、羰基或苯基中的一种。

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述去除模板的方法是离子交换法或者热处理煅烧法。

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