[发明专利]一种半导体制造工艺中炉管机台运行的控制系统及方法

说明书

本发明涉及一种半导体制造工艺中炉管机台运行的控制系统及方法，所述方法包括步骤A：获取上游机台晶圆组的信息、炉管机台晶圆组的信息以及炉管机台信息；步骤B：根据步骤A中的所述信息计算所述上游机台晶圆组的炉管预批量处理值和所述炉管机台晶圆组的炉管预批量处理值；步骤C：根据所述预批量处理值，对所述上游机台和炉管机台进行排货和派货。本发明的优点在于：(1)设计者(Planner)和监控者(supervisor)可实时维护和监控机台以及Lots信息，保证数据的实时性和准确性。(2)上游的机台可以根据下游的炉管机台的实际需求，及时准确的生产，既保证了上游机台的利用率和产量，又满足了下游机台的需求。实现了整个上下游机台利用率的最大化。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体制造工艺中炉管机台运行的控制系统及方法。

背景技术

随着电子技术的迅猛发展，电子设备制造业对半导体器件的需求量不断攀升，在庞大的需求压力下，半导体制造业的工艺水平和制造技术的更新速度有了显著的提升，同时半导体制造业的生产规模也逐渐扩大。

在大规模生产环境下，半导体制造工厂的车间中的半导体制造机台数量不断增加，在半导体制造过程中，通用生产标准一般将若干个同型号的晶圆定义为一个晶圆组(Lot)，每台半导体制造机台一次可处理一个晶圆组。

在半导体制造中，炉管(Furnace)是一种高温制程，会在晶圆(wafer)表面添加一层膜(film)，例如氧化、沉积以及掺杂，或是改变晶圆(wafer)材质的化学状态(合金)或物理状态(退火,扩散和再流动)。包括：氧化(Oxide)、沉积(LPCVD)、退火和合金化(Anneal/BPF/Alloy)。由于氧化是由温度决定的，所以炉管的氧化膜生长则需要800°以上的温度；另外氧化膜生长大多是一炉同时进，相同工艺(recipe)的晶圆(wafers)被一起装到炉子里，在那里同时被氧化。

炉管每一次的升温或者降温都需要较长的时间，不同的工艺(recipe)所需要的时间不同，每次大概需要3～12小时，而炉管每次最多可以同时生产相同工艺(recipe)的150片晶圆(不同种类的机台，同时生产的片数不同)。由于炉管时间长，炉管区的机台需要等待Lots数目积攒到一定数量之后，通过执行批量运行(Batch run)，实现最大数量晶圆的批量生产。如果当站的货不够，就需要到上游机台拉货，直到上游的Lots到达当站时，和当站等待的Lots一起批量运行(Batch run)。

因此，如何实现炉管区机台当站Lots和上游Lots的精准派货，对炉管机台以及上游机台利用率和生产效率起到了至关重要的作用。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种半导体制造工艺中炉管机台运行的控制方法，包括：

步骤A：获取上游机台晶圆组的信息、炉管机台晶圆组的信息以及炉管机台信息；

步骤B：根据步骤A中的所述信息计算所述上游机台晶圆组的炉管预批量处理值和所述炉管机台晶圆组的炉管预批量处理值；

步骤C：根据所述预批量处理值，对所述上游机台和炉管机台进行排货和派货。

可选地，在所述步骤A中还包括设定并维护所述炉管机台信息的步骤，所述炉管机台信息包括：所述炉管机台的最大批处理量数值和所述上游机台晶圆组到达所述炉管机台需要的工艺步骤数目。

可选地，所述步骤B包括：

步骤B1：计算所述炉管机台剩余的生产时间；