[发明专利]粘接片、及切割/芯片接合薄膜

说明书

本发明提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，前述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm，比表面积为0.8～8.0m²/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。

技术领域

本发明涉及粘接片、及切割/芯片接合薄膜。

背景技术

出于半导体元件的应用方面的需求，高容量化、数据处理速度的高速化推进，因而自半导体元件的发热量增大。因此，迫切需要应对发热量增大的对策。

作为半导体封装体的散热方法，有：将密封树脂薄型化或高导热系数化来进行散热的方法；嵌入散热器等散热材料而介由其进行散热的方法；自介由粘接剂与半导体芯片粘接的基板、引线框等进行散热的方法等。

自密封树脂进行散热的方法由于密封树脂层较厚而难以高效地散热。另外，嵌入散热器的方法不利于小型化(高集成化)，能够使用的封装体有限。另一方面，通过将用于粘接半导体芯片和基板的粘接剂高导热化，自半导体芯片产生的热释放至基板，从而能够高效地散热。

作为将粘接剂高导热化的方法，已知有配混高导热性的填料的方法。作为高导热性的填料，有多种多样的填料，例如有氧化铝填料、氢氧化铝、氮化铝等。其中，氧化铝填料由于较廉价且化学稳定性高、导热系数高，因而经常被使用。

另一方面，氢氧化铝由于导热性比氧化铝填料低，会因加热而形成铝并产生水，因此存在导致可靠性降低的担心。

另外，氮化铝的化学稳定性低，与空气中的水反应而产生氢氧化铝并生成氨。粘接剂有时在切割工序中被暴露于大量水中，而且常常长时间地放置于常规气氛下，因此需要对水、空气稳定，但氮化铝从上述特性来看很难说适用于粘接剂。

关于粘接剂的形状，一直以来，使用银浆等液态的粘接剂。但是，将比50μm薄的由半导体晶圆得到的半导体芯片介由糊状的粘接剂粘接于基板时，有时发生半导体芯片的倾斜、或突出、粘接剂向芯片上部环抱等。因此，糊状的粘接剂不利于高集成化的半导体元件的制造。另外，糊状的粘接剂在固化时容易产生空隙，容易产生由空隙导致的可靠性降低、散热性降低等问题。

在这种背景下，例如，专利文献1～3中提出了配混有氧化铝填料的高导热性的片状粘接剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-186360号公报

专利文献2：日本特开2012-186361号公报

专利文献3：日本特开2011-23607号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，专利文献1～3的片状粘接剂仅能够粘接于较平坦的被粘物，用途受到限定。换言之，对凹凸的追随性(凹凸填埋性)尚有改善的余地。另外，近年来，粘接剂所需的可靠性的水平日益增高，因此也需要对可靠性进行研究。

本发明的目的在于，解决前述问题，提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案