[发明专利]埋入式字线及其隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

在基板的表面上形成多层掩膜结构，以露出部分所述基板，其中所述多层掩膜结构至少包括第一氧化层、第一氮化层与第二氧化层；

以所述多层掩膜结构为蚀刻掩膜，蚀刻去除暴露出的所述基板，以形成多个隔离结构沟槽；

在所述多个隔离结构沟槽内形成隔离材料，且所述隔离材料的顶部低于所述第二氧化层的表面；

在所述多个隔离结构沟槽内的所述隔离材料上分别形成第一多晶硅层；

移除所述多层掩膜结构内的所述第二氧化层，以使所述第一多晶硅层凸出于所述第一氮化层；

在所述第一多晶硅层的侧壁形成多个多晶硅间隔壁；

在所述第一氮化层、所述第一多晶硅层与所述多个多晶硅间隔壁上共形地沉积第三氧化层，以形成多个自行对准沟槽；

在所述多个自行对准沟槽内形成第二多晶硅层，并露出所述第三氧化层的顶面；

以所述第二多晶硅层、所述第一多晶硅层与所述多个多晶硅间隔壁为蚀刻掩膜，蚀刻去除露出的所述第三氧化层、所述多层掩膜结构内的所述第一氮化层与所述第一氧化层，并持续蚀刻至所述基板内，以形成多个埋入式字线沟槽；以及

在所述多个埋入式字线沟槽内形成埋入式字线。

2.根据权利要求1所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：所述多层掩膜结构还包括形成于所述第二氧化层上的碳层与形成于所述碳层上的氮氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：在形成所述多个隔离结构沟槽之后还包括：去除所述氮氧化硅层与所述碳层。

4.根据权利要求1所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：在形成所述多个隔离结构沟槽之前还包括：在所述基板内形成多个有源区隔离结构，所述多个有源区隔离结构与所述多个隔离结构沟槽将所述基板区分成多个有源区。

5.根据权利要求1所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述多个埋入式字线的步骤包括：

在所述多个埋入式字线沟槽表面形成栅极氧化层；

在所述多个埋入式字线沟槽内沉积导体层；

对所述导体层进行化学机械研磨；以及

回蚀刻所述导体层。

6.根据权利要求5所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述多个埋入式字线之后还包括：

在所述多个埋入式字线沟槽内的所述导体层上填满第二氮化层；以及

回蚀刻所述第二氮化层，同时移除所述多层掩膜结构的所述第一氮化层。

7.根据权利要求1所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述多个多晶硅间隔壁的步骤包括：

在所述第一氮化层与所述第一多晶硅层上共形地覆盖多晶硅材料层；以及

回蚀刻所述多晶硅材料层。

8.根据权利要求1所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述隔离材料的方法包括：

在所述多个隔离结构沟槽内填满所述隔离材料；以及

回蚀刻所述隔离材料。

9.根据权利要求8所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：在所述多个隔离结构沟槽内填满所述隔离材料的方法包括原子层沉积或低压化学气相沉积。

10.根据权利要求8所述的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：回蚀刻所述隔离材料的方法包括干蚀刻或利用热磷酸。