[发明专利]金属互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410239105.2 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336663B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成金属层；
在所述金属层上形成介质层；
在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔的底部暴露所述金属层；
对所述接触孔的侧壁进行修复处理，所述修复处理采用的温度范围为70℃～400℃；
采用金属材料填充所述接触孔，填充所述接触孔的步骤包括：修复处理之后，在所述接触孔内形成金属籽晶层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述修复处理采用的气体包括N2、H2、CO2和CO的至少其中之一。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述修复处理为原位修复处理。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成接触孔的步骤包括：
在所述介质层上形成图形化掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜对所述介质层进行刻蚀，直至在所述介质层内形成所述接触孔；
去除所述掩膜层。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，采用脉冲等离子体刻蚀方法对所述介质层进行刻蚀。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述脉冲等离子体刻蚀方法为同步脉冲等离子体刻蚀方法。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述同步脉冲等离子体刻蚀方法采用的气体包括CF4和CHF3，CF4的流量范围为10sccm～500sccm，CHF3的流量范围为10sccm～250sccm。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述同步脉冲等离子体刻蚀方法采用的压强范围为10mTorr～200mTorr，采用的频率范围包括10Hz～2000Hz，采用的功率范围包括0～1000w。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底与所述介质层之间还包括衬氧化层。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属材料包括铜、铝和钨的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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