[发明专利]晶圆夹盘倾斜度的检测方法有效
| 申请号: | 201410235876.4 | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN105196177B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
| 发明(设计)人: | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | B24B49/00 | 分类号: | B24B49/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆夹盘 倾斜度 检测 方法 | ||
本发明揭示了一种利用现有的电化学抛光设备对晶圆夹盘的倾斜度进行检测的晶圆夹盘倾斜度的检测方法,包括如下步骤:分别测量晶圆中心点(O点)以及晶圆上其他两点(A点与B点)与喷头喷射出的抛光液的液面之间的高度值Ho,Ha,Hb,其中该其他两点(A点和B点)的连线不经过晶圆中心点(O点);计算Ha与Ho之间的差值,以及Hb与Ho之间的差值;结合A点与O点之间的水平距离La以及B点与O点之间的水平距离Lb,计算晶圆上A点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Ha‑Ho)/La),B点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Hb‑Ho)/Lb)。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于夹持晶圆的晶圆夹盘倾斜度的检测方法。
背景技术
随着半导体集成电路的高密度化、微细化和高速化,对工艺加工精度提出了更高的要求。影响工艺加工精度最主要的因素是执行各工艺的装置是否满足工艺要求。以电化学抛光为例,在电化学抛光工艺中,需要使用晶圆夹盘夹持晶圆相对于喷头在竖直方向、水平方向移动和旋转。喷头向晶圆表面喷射抛光液,以实现对晶圆表面抛光。在电化学抛光过程中,晶圆夹盘的水平度决定了晶圆的水平度,晶圆的水平度越高,电化学抛光工艺的精度就越高,也就是电化学抛光均匀性越高。一旦晶圆夹盘倾斜了,晶圆表面抛光均匀性就会变差,从而导致电化学抛光良率降低。因此,检测晶圆夹盘是否倾斜,对电化学抛光工艺至关重要。而现有的电化学抛光设备中,晶圆夹盘通常安装在抛光腔室内部,很难对其倾斜度进行检测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆夹盘倾斜度的检测方法,该方法能够利用现有的电化学抛光设备对晶圆夹盘的倾斜度进行检测,而无需再借助其他装置,解决了现有晶圆夹盘倾斜度检测难的问题。
为实现上述目的,本发明提出的晶圆夹盘倾斜度的检测方法,包括如下步骤:分别测量晶圆中心点(O点)以及晶圆上其他两点(A点与B点)与喷头喷射出的抛光液的液面之间的高度值Ho,Ha,Hb,其中该其他两点(A点和B点)的连线不经过晶圆中心点(O点);计算Ha与Ho之间的差值,以及Hb与Ho之间的差值;结合A点与O点之间的水平距离La以及B点与O点之间的水平距离Lb,计算晶圆上A点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Ha-Ho)/La),B点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Hb-Ho)/Lb)。
综上所述,本发明晶圆夹盘倾斜度的检测方法利用现有的电化学抛光设备即可实现对晶圆夹盘的倾斜度进行检测,解决了现有晶圆夹盘倾斜度检测难的问题。
附图说明
图1示出了现有电化学抛光装置的结构示意图。
图2示出了本发明晶圆夹盘倾斜度的检测方法的流程图。
图3示出了测量晶圆上的点与喷头喷射出的抛光液的液面之间的高度值的方法的流程图。
图4示出了晶圆的仰视图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所达成目的及效果,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司,未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410235876.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





