[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面沉积介质层，沉积介质层的工艺的反应气体包括硅源气体和氧源气体，沉积介质层的工艺时长分为连续的第一时长、第二时长以及第三时长，且在沉积介质层的工艺过程中提供射频功率，其中，第一时长内射频功率为第一功率，第二时长内射频功率由第一功率递增至第二功率，第三时长内射频功率为第二功率，所述第一功率小于第二功率；所述第一功率为50瓦至100瓦，所述第二功率为300瓦至600瓦；

所述沉积介质层的工艺适于形成具有晶核成核以及晶核长大过程的晶体氧化硅薄膜。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在沉积介质层的工艺中向沉积腔室内通入非氧化性稀释气体。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非氧化性稀释气体为H₂、He、Ne、Xe、Kr或Ar。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述射频功率为将反应气体等离子体化的功率。

5.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一时长为零或非零时长；所述第三时长为零或非零时长。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一时长为零时，所述第二时长内包括晶核成核阶段和晶核长大阶段；所述第一时长为非零时长时，所述第一时长内包括晶核成核阶段。

7.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述递增的方式为线性式递增、抛物线式递增或指数函数式递增。

8.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述介质层。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的工艺参数为：硅源气体流量为40sccm至100sccm，氧源气体流量为8000sccm至16000sccm，非氧化性稀释气体流量为2000sccm至6000sccm，沉积腔室压强为0.6托至2托。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硅源气体为SiH₄、SiH₂Cl₂或SiHCl₃，所述氧源气体为O₂或N₂O。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：对所述介质层表面进行含氧等离子体处理。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含氧等离子体处理的工艺参数为：所述含氧等离子体由O₂或N₂O等离子体化形成，O₂或N₂O气体流量为50sccm至500sccm，射频功率为100瓦至600瓦。

13.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：对所述介质层表面进行非氧化性等离子体轰击。

14.如权利要求13所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非氧化性等离子体轰击的工艺参数为：所述非氧化性等离子体由H₂、He、Ne、Xe、Kr或Ar气体等离子体化形成，H₂、He、Ne、Xe、Kr或Ar气体流量为50sccm至500sccm，射频功率为100瓦至600瓦。