[发明专利]一种搅拌萃取制备高纯钴溶液的方法有效

专利信息
申请号: 201410232306.X 申请日: 2014-05-28
公开(公告)号: CN105154673B 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 蔡振平;陈松;郎书玲;张力;王力军 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C22B3/38 分类号: C22B3/38
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 代理人: 刘徐红
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 搅拌 萃取 制备 高纯 溶液 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种搅拌萃取制备高纯钴溶液的方法,尤其涉及钴盐溶液在搅拌下的溶剂萃取工艺,属于金属材料制备技术领域。

背景技术

高纯钴作为一种重要的高纯金属材料,在光电器件、磁传感器、集成电路、先进电子元件的靶材等方面获得广泛的应用。目前高纯钴的制备多采用萃取、离子交换、膜分离、电解精炼、真空烧结、真空熔炼等湿、火法相结合的工艺。其中离子交换、萃取可以除去钴溶液中的大多数金属杂质,对溶液进行深度净化,是高纯钴制备的关键工序。

Masahito Uchikoshi等用阴离子交换树脂选择性吸附分离Cu+,Co2+,选择性淋洗杂质方法得到高纯CoCl2,高纯CoCl2经氢还原得到99.9997%的金属钴;美国专利US6818119将CoSO4溶液和CoCl2溶液经过离子交换、溶剂萃取、Fe(OH)3沉淀再结晶等方法对钴液进行净化,电解得到高纯的电解钴。

中国专利CN101302585采用电溶CoCl2进行离子交换净化处理,然后电解沉积、电子束熔炼制备高纯钴锭。刘扬中等研究了添加配位剂氨基乙酸,以取代传统的树脂转型方法进行萃取色层法净化钴溶液,考察了淋洗液pH、进料量、料液中Ni/Co等因素的影响,找到了Ni,Co安全分离的范围;周春山等采用转型后的P204萃淋树脂以pH为2.5的氯乙酸-氯乙酸钠为淋洗液,实现了Co与Cu,Zn,Mn等的分离。

萃取色层法和离子交换法对分离性质相近的元素有较好的效果,但通常采用柱子灌装树脂来萃取除杂,诸如柱长径、支持体的粒径、空隙率等等都会成为影响因素且柱内pH值较难控制致使效率低、柱子萃取容量比较低、萃取剂容易流失、寿命相对较短等缺陷,影响了其大规模的工业应用。

发明内容

本发明的目的在于克服上述高纯钴制备工艺存在的缺陷,提供一种制备工艺简单、易操作、制备成本低,易于规模生产,产品质量稳定、纯度高的搅拌萃取制备高纯钴溶液的工艺,本工艺最终产品纯度大于99.999%。

本发明的目的通过以下技术方案实施:

一种搅拌萃取制备高纯钴溶液的方法,包括以下步骤:

(1)将纯水泵入高位萃取槽中,加入氯化钴,配制成氯化钴溶液;

(2)将P507萃取剂和磺化煤油分别泵入低位萃取槽并搅拌均匀,然后加入NaOH溶液搅拌皂化,得到皂化的有机萃取剂;

(3)打开高位萃取槽的搅拌,同时打开低位萃取槽的流量计,将低位萃取槽中的有机萃取剂泵入高位萃取槽中,两相搅拌混合,杂质留在水相,钴萃入有机相,得到含钴的负载有机相;静置后打开高位萃取槽底部的放料阀门,将废水放出,负载有机相留在高位萃取槽中;

(4)开动高位萃取槽的搅拌,同时加入一定浓度的盐酸溶液对负载有机相进行洗涤,两相搅拌混合,静置,打开高位萃取槽底部的放料阀门,将废液放出回收,富钴有机相留在高位萃取槽中;

(5)开动高位萃取槽的搅拌,同时加入一定浓度的盐酸溶液对富钴有机相进行反萃,杂质进入有机相,钴反萃入水相,得到净化的钴盐溶液,静置,打开高位萃取槽底部的放料阀门,使净化的钴盐溶液流入低位萃取槽并加入大孔吸附树脂,在搅拌状态下深度净化,两相搅拌混合净化,得到深度净化的钴溶液;

(6)将深度净化的钴溶液放入离心机,离心过滤,得到高纯的钴溶液。

将高纯的钴溶液加入蒸发器进行浓缩,浓缩后转入电解槽电解沉积,得到阴极产品电积钴,电积钴再经真空熔炼得到高纯钴锭。

上述方法中,步骤(1)所配制的氯化钴溶液的钴含量(含钴浓度)为40~80g/L。

步骤(2)中,所述的P507萃取剂与磺化煤油的体积比为1:(4~5),P507萃取剂和磺化煤油与NaOH溶液的体积比为:(25~35):1。NaOH溶液的浓度为11~13mol/L。

步骤(3)中,所述的萃取剂泵入高位萃取槽的速度为10~20升/分,控制相比(有机萃取剂:氯化钴溶液的体积比)为(2~3):1,两相搅拌混合的时间为10~20分钟,所述的静置时间为30分钟。

步骤(4)中,洗涤负载有机相所使用的盐酸溶液的浓度为2~3mol/L;负载有机相与盐酸溶液的体积比为(8~9):1,两相搅拌混合时间为10~20分钟,所述的静置时间为30分钟。

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