[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个伪栅极结构，在相邻所述伪栅极结构之间形成有沟槽；

在所述半导体衬底上沉积形成可流动介电层，以填充所述沟槽；

回蚀刻去除部分的位于所述沟槽内的所述可流动介电层，剩余的所述可流动介电层低于所述伪栅极结构的顶部；

在剩余的所述可流动介电层和所述伪栅极结构上沉积形成衬垫层；

在所述衬垫层上沉积形成致密介电层，以完全填充所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行所述回蚀刻步骤之前，还包括对所述可流动介电层依次进行固化处理和退火处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用去离子水结合臭氧进行所述固化处理。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理为蒸气退火或干法退火或两者的组合。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为400～600℃。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行所述回蚀刻步骤之前，还包括对所述可流动介电层进行平坦化的步骤。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬垫层为氧化物衬垫层。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述致密介电层之前，还包括回蚀刻去除部分的位于所述伪栅极结构顶角处的所述衬垫层的步骤。

9.根据权利要求1或8所述的制造方法，其特征在于，所述回蚀刻工艺采用SiCoNi刻蚀或干法刻蚀。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述可流动层间介电层之前，还包括在所述伪栅极结构上和所述沟槽的底部和侧壁上沉积形成接触孔蚀刻停止层的步骤。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用高深宽比HARP工艺形成所述致密介电层。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述致密介电层后，还包括平坦化所述致密介电层，直到暴露所述伪栅极结构的顶面的步骤。

13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法适用于所有的后高k/金属栅极的制程或FinFET器件的制程。

14.一种半导体器件，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的多个栅极结构，在相邻所述栅极结构之间形成有沟槽；位于所述半导体衬底上并部分填充所述沟槽的可流动介电层；位于所述可流动介电层上的衬垫层；以及位于所述衬垫层之上并完全填充所述沟槽的致密介电层。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述衬垫层为氧化物衬垫层。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述致密介电层为采用高深宽比HARP工艺形成的氧化物层。