[发明专利]用于电子薄膜和器件的喹唑啉衍生的化合物在审
申请号: | 201410231701.6 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN104292218A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | D·M·维尔什;M·E·昂达里;K·加里;B·金;M·车;R·D·弗罗斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗姆哈斯电子材料韩国有限责任公司 |
主分类号: | C07D405/14 | 分类号: | C07D405/14;C07D401/14;C07D401/10;C07D417/14;C07D413/14;C07D403/10;C07D417/10;C07D413/10;C07D405/10;C07D239/74;C07D403/04;C09K11/06;H01L |
代理公司: | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 | 代理人: | 张永新 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 薄膜 器件 喹唑啉 衍生 化合物 | ||
相关申请的引用
本申请要求2013年3月15日提交的U.S.临时专利申请No.61/798,460的权益。
技术背景
电致发光(EL)器件是利用薄膜堆叠体的显示器件,所述薄膜包含有机芳香族化合物作为电致发光层。这类化合物通常分为电致发光材料和电荷传输材料。这类电致发光和电荷传输化合物所需的几项性质包括固态下的高荧光量子产率,电子和空穴的高迁移率,在真空气相沉积过程中的化学稳定性,以及形成稳定薄膜的能力。这些期望的特征提高了EL器件的寿命。对于改善的电致发光化合物和包含该化合物的薄膜存在持续的需求。
国际公开No.WO2012/050347公开了用于有机电子材料的化合物和使用该化合物的有机电致发光器件。这些化合物被公开为具有高的电子传输效率,以及在制造器件时防止结晶。这类化合物还被公开有利于形成层,因而改善了OLED器件的电流性质。用于电子应用的其它化合物在下列文献中公开:WO2011/014039A1,WO2012/036482,WO2006/104118,以及EP1808433。
然而,如上讨论,对于包含新的电致发光化合物的新型薄膜结构仍然存在需求,并且这些化合物具有改善的发光性质。以下发明可以满足这些需求和其它需求。
发明简述
本发明提供了一种组合物,包含选自下列(A,B,C和D)的至少一种化合物:
A)
其中R1选自下列:
i)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
ii)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基;
其中R2选自下列:
i)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
ii)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基,
以及其中R3选自下列:
i)氢或氘,
ii)(C1-C20)烷基,进一步选自(C1-C10)烷基,
iii)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
iv)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基,以及
其中式1包含至少三个C-N双键;以及其中一个或多个氢可以任选地被氘取代;
B)
其中R1’选自下列:
i)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
ii)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基;
其中R2’选自下列:
i)氢或氘,
ii)(C1-C20)烷基,进一步选自(C1-C10)烷基,
iii)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
iv)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基;
其中R3’和R4’独立地选自下列:
i)氢或氘,
ii)(C1-C20)烷基,进一步选自(C1-C10)烷基,
iii)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
iv)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基;
其中R5’选自下列:
i)氢或氘,
ii)(C1-C20)烷基,进一步选自(C1-C10)烷基,
iii)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
iv)(C3-C40)杂芳基,进一步选自(C3-C30)杂芳基,各自具有或不具有取代基,
其中L包含(C6-C30)亚芳基或者(C3-C30)亚杂芳基;以及其中如果R1’包含联苯基,其不包括咔唑;以及其中一个或多个氢可以任选地被氘取代;
C)
以及
其中R1”选自下列:
i)(C6-C40)芳基,进一步选自(C6-C30)芳基,各自具有或不具有取代基,或者
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司;罗姆哈斯电子材料韩国有限责任公司,未经陶氏环球技术有限责任公司;罗姆哈斯电子材料韩国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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