[发明专利]用于电子薄膜和器件的喹唑啉衍生的化合物

权利要求书

1.一种组合物，包含选自下列(A，B，C和D)的至少一种化合物：

A)

其中R1选自下列：

i)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

ii)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R2选自下列：

i)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

ii)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

以及其中R3选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基，以及

其中式1包含至少三个C-N双键；以及其中一个或多个氢可以任选地被氘取代；

B)

其中R1’选自下列：

i)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

ii)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R2’选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R3’和R4’独立地选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R5’选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中L包含(C6-C30)亚芳基或者(C3-C30)亚杂芳基；以及其中如果R1’包含联苯基，其不包括咔唑；以及其中一个或多个氢可以任选地被氘取代；

C)

以及

其中R1”选自下列：

i)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

ii)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R2”选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

其中R3”和R4”独立地选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C30)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C30)杂芳基；

其中R5”选自下列：

i)氢或氘，

ii)(C1-C20)烷基，

iii)具有或不具有取代基的(C6-C40)芳基，或者

iv)具有或不具有取代基的(C3-C40)杂芳基；

以及其中如果R1”包含联苯基，其不包括咔唑；以及其中一个或多个氢可以任选地被氘取代；以及

D)它们的组合。

2.权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自式1。

3.权利要求2所述的组合物，其中R1选自下列：

4.权利要求2或者权利要求3所述的组合物，其中R2选自下列：

5.权利要求2-4任一项所述的组合物，其中R1包含大于或者等于9个碳原子。

6.权利要求2-5任一项所述的组合物，其中R2包含大于或者等于9个碳原子。

7.权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自式2。

8.权利要求7所述的组合物，其中R1’选自下列：

9.权利要求7或者权利要求8所述的组合物，其中L选自下列：亚苯基或者亚萘基。