[发明专利]金属线路微结构的制法

权利要求书

1.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光及光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度；

(d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案；以及

(e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。

2.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该基板为一透明基板、一柔性基板或一柔性透明基板。

3.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该籽晶层的厚度介于5nm至100nm之间，且该籽晶层为金属或金属合金，其中该金属或金属合金选自铬/金金属膜、钛/金金属膜、钛/铜金属膜、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜。

4.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该沟槽图案具有一特定沟槽深度，该特定沟槽宽度介于1μm至20μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至20μm之间。

5.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至2μm之间。

6.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度为3μm以下。

7.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中于该步骤(c)中，还暴露部分的该籽晶层，且于该步骤(d)中，该金属导电层与暴露的该籽晶层的部分接触与连接。

8.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的材料选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。

9.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的宽度对应于该特定沟槽宽度，且该金属导电层的厚度介于0.1μm至2μm。

10.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度；

(d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案；

(e)将一抗氧化层填入该沟槽图案，且该抗氧化层形成于该金属导电层上；以及

(f)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。

11.根据权利要求10的金属线路微结构的制法，其中该抗氧化层为一抗氧化金属层，且该抗氧化层包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂。

12.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一第一沟槽图案及一第二沟槽图案，其中该第一沟槽图案具有一第一特定沟槽宽度，该第二沟槽图案具有一第二特定沟槽宽度，该第二特定沟槽宽度大于该第一特定沟槽宽度；

(d)将一金属导电层分别填入该第一沟槽图案及该第二沟槽图案；以及

(e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成一第一金属线路微结构及一第二金属线路微结构。

13.根据权利要求12的金属线路微结构的制法，其中该第一特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该第二特定沟槽宽度介于5μm至20μm之间，且该第一金属线路微结构及该第二金属线路微结构的线宽分别对应于该第一特定沟槽宽度及该第二特定沟槽宽度。