[发明专利]利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法

权利要求书

1.一种利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法，包括以下步骤：

A.在基底(1)上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层(2)，其中所述低温是500℃；

B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层(2)上生长GaN半导体层(3)，其中所述高温是1050℃；

C.对所述GaN半导体层(3)进行至少一次温度循环处理，其中每一次温度循环中将温度从1050℃降到500℃,再升温到1055℃，然后降温到1050℃；

D.在经过温度循环处理后的GaN半导体层(3)上，继续生长后续的其它各层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述温度循环中，降温速率不低于10℃/分钟，升温速率为10℃/秒～20℃/分钟。

3.根据权利要求1的方法，其中在每一次温度循环中，将所述GaN半导体层(3)在1050℃下保持不大于10分钟的时间，或者，将所述GaN半导体层(3)在500℃下保持不大于10分钟的时间，或二者结合。

4.根据权利要求1的方法，其中所述基底为蓝宝石基底或单晶硅基底。

5.根据权利要求1的方法，其中所述其它各层依次包括n-GaN层、GaN/GaInN/GaN多量子阱层、电子阻挡层AlGaN层、p-GaN材料层。

6.根据权利要求1的方法，其中所述温度循环进行3次以上。

7.根据权利要求1的方法，其中所述高温气相沉积法中，以三甲基镓或三乙基镓作为镓源，以NH₃作为氮源，经过高温分解和高温反应，生成所述GaN半导体层(3)。

8.根据权利要求1的方法，其中在所述步骤A之前还包括在还原性气氛下在1120℃的温度下对基底进行清洁处理的步骤E。