[发明专利]改善关键尺寸均匀性的方法在审
| 申请号： | 201410222757.5 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097454A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 孙超;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
1.一种改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一表面形成有光阻层的晶圆，进行曝光及显影以在所述光阻层中形成若干开口；
S2：对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的光阻；
S3：对所述晶圆进行Ar/O2电浆处理以进一步对所述光阻层进行刻蚀，并调节Ar与O2的流量比例，使得晶圆边缘部位的光阻刻蚀速率大于晶圆中间部位的光阻刻蚀速率；
S4：以Ar/O2电浆处理后的光阻层为掩模对所述晶圆进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述O2的流量范围是1～10sccm，所述Ar的流量范围是400～1500sccm。
3.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S3中，通过调节Ar与O2的比例，使得流经所述晶圆边缘部位的O2流量大于流经所述晶圆中间部位的O2流量。
4.根据权利要求3所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：将O2气路至少分为两路，其中一路接近所述晶圆中间部位，另外一路接近所述晶圆边缘部位。
5.根据权利要求3所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：流经所述晶圆边缘部位的O2流量与流经所述晶圆中间部位的O2流量的比例范围是6:4～8:2。
6.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述Ar/O2电浆处理的时间为5～15s。
7.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S2中，所述电浆预处理采用N2与H2混合气源。
8.根据权利要求7所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述N2的流量范围是10～100sccm，所述H2的流量范围是100～200sccm。
9.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S2中，所述电浆预处理时间为5～15s。
10.根据权利要求1所述的改善关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤S4中，以所述光阻层为掩模对所述晶圆进行刻蚀得到若干用于导电互连的通孔，所述通孔的关键尺寸小于60nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
