[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201410222253.3 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097544A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 严晓龙;吴建宏;彭思君;钟尚骅 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘永军;洪燕 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上至少依次形成多晶硅层、栅极绝缘层以及栅极金属层；
移除部分所述栅极金属层，使部分所述栅极绝缘层外露；以及
采用离子注入法使掺杂离子穿透外露部分的所述栅极绝缘层。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中所述栅极绝缘层的形成方式包括：
在所述多晶硅层上形成第一二氧化硅层；以及
在所述第一二氧化硅层上形成第一氮化硅层。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中，
在所述衬底上至少依次形成多晶硅层、栅极绝缘层以及栅极金属层的工序前，进一步形成有缓冲层，
所述缓冲层包括第二二氧化硅层、以及第二氮化硅层，其中所述第二氮化硅层形成于所述衬底之上，而所述第二二氧化硅层形成于第二氮化硅层之上。
4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中，
所述多晶硅层位于所述第一二氧化硅层与所述第二二氧化硅层之间。
5.如权利要求1～4中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中，所述栅极金属层的材料包括钼。
6.如权利要求1～4中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中，所述衬底是玻璃基板。
7.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：
在衬底上形成多晶硅层，
在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层，
在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层，
蚀刻掉栅极金属层并保留所述栅极绝缘层来形成栅极，以及
采用离子注入法使掺杂离子穿透栅极绝缘层。
8.如权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中，
当所述蚀刻掉栅极金属层并保留所述栅极绝缘层来形成栅极时，还包括：
采用对所述栅极绝缘层和所述栅极金属层的蚀刻选择比高的蚀刻液来实施。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
