[发明专利]一种白光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种白光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在光转换层薄片表面制作反光墙，所述反光墙在所述光转换层薄片的表面上围成多个LED芯片安装腔体，所述反光墙紧挨围闭所述LED芯片的四周，所述光转换层薄片是一种预制成型的薄片状材料；所述第(1)步具体包括如下子步骤：

(11)、在所述光转换层薄片表面涂一感光性材料层；

(12)、通过曝光和显影去除感光性材料层中的非贴装LED芯片区域；

(13)、在所述非贴装LED芯片区域通过溅射或金属薄膜沉积方式制作反光墙；

(14)、通过去胶液去除剩余的感光性材料层露出多个LED芯片安装腔体；

或所述第(1)步骤具体如下：

将预先制备好的块状反光墙粘接在所述光转换层薄片表面，从而围成多个LED芯片安装腔体；

(2)、将贴装式LED芯片贴装到所述LED安装腔体内，并切割成上方具有光转换层和四周具有反光墙的单颗白光LED芯片，所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片。

2.根据权利要求1任一项所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于：

所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

3.一种白光LED芯片，其特征在于：采用如权利要求1所述的制作方法制作，所述白光LED芯片包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。

4.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于：

所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N 型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

5.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于：

所述反光墙厚度在10-1000 μ m 之间。

6.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于：

所述反光墙材料为在可见光区光反射率在95％以上的金属材料。

7.根据权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于：

所述反光墙材料为金、银、铜、镍、钨与钛中的一种或多种的组合。