[发明专利]封装方法有效
申请号: | 201410220102.4 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN103972113B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 石磊;陶玉娟 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装方法。
背景技术
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化,便携式,超薄化,多媒体化以及满足大众需求的低成本方向发展,高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。与价格昂贵的BGA(Ball Grid Array)等封装形式相比,近年来快速发展的新型封装技术,如四扁平无引脚(QFN,Quad Flat No-leadPackage)封装,由于其具有良好的热性能和电性能、尺寸小、成本低以及高生产率等众多的优点,引发了微电子封装技术领域的一场新的革命。
图1是一种封装结构实施例的剖面结构示意图,所述封装结构包括:引线框架,所述引线框架包括第一表面101、以及与第一表面101相对的第二表面102,所述引线框架具有若干承载单元103、以及位于承载单元103之间用于固定承载单元103的中筋104,每一承载单元103具有若干分立的引脚105,相邻引脚105之间具有开口(未示出);若干半导体芯片107,所述半导体芯片107表面具有若干焊盘108,所述焊盘108上具有金属凸块109;所述半导体芯片107倒装于引线框架的第一表面101上、且与承载单元103对应,所述半导体芯片107上的金属凸块109与承载单元103的引脚105焊接在一起,形成若干封装单元,所述封装单元包括一个承载单元和半导体芯片;填充满相邻引脚105之间开口的塑封层110,所述塑封层还填充于半导体芯片107和第一表面101之间空间,并覆盖于所述引脚框架100和半导体芯片107表面,所述塑封层110暴露出引脚105第二表面102。后续沿所述中筋104的对应位置切割所述塑封层110和引脚框架100,使若干封装单元分离。
然而,在所述封装结构中,形成所述引线框架的工艺成本较高、工艺难度较大,而且所述引线框架的形貌不良,不利于半导体芯片的电性连接。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种封装方法,所述封装方法工艺简化、成本降低,所形成的结构形貌改善、电连接性能改善。
为解决上述问题,本发明提供一种封装方法,包括:形成塑封层,所述塑封层具有若干承载区、以及位于承载区之间的切割区,所述承载区内具有若干贯穿所述塑封层的第一开口,所述塑封层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;在所述塑封层的第一表面形成绝缘层,所述绝缘层内具有暴露出第一开口的第二开口,所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸,所述第二开口还暴露出位于承载区内的第一开口周围的部分塑封层表面;在所述第一开口和第二开口内填充满导电材料,在所述第一开口和第二开口内形成引脚结构,所述绝缘层暴露出引脚结构的第一表面,所述塑封层暴露出引脚结构的第二表面;提供芯片结构,所述芯片结构表面具有若干芯片连接端;将所述芯片结构倒装于塑封层承载区表面的绝缘层上,使所述芯片连接端与引线框架结构内的引脚结构第一表面电连接;在绝缘层表面、芯片结构表面、引线结构第一表面形成封料层,所述封料层包裹所述芯片结构、并填充满绝缘层和芯片结构之间的空间;沿所述塑封层的切割区对所述封料层、绝缘层和塑封层进行切割,形成封装结构,所述封装结构内的引脚结构侧壁表面具有绝缘层和塑封层覆盖。
可选的,所述塑封层的形成工艺包括:提供具有空腔的模具,所述空腔的形貌结构与所需形成的塑封层的形貌结构相同;向模具内的空腔注入塑封材料,直至所述空腔被填充满,形成塑封层;在形成塑封层之后,去除所述模具。
可选的,所述模具包括具有凹槽的第一模具板、以及第二模具板,当所述第一模具板具有凹槽的一面与第二模具板相互闭合时,所述凹槽与第二模具板的表面构成空腔。
可选的,在所述模具内形成塑封层的工艺包括:向第一模具板的凹槽内注入流体的塑封材料,直至塑封材料填充满所述凹槽,所述塑封材料的表面高于或齐平于所述第一模具板的表面;在注入塑封材料之后,使第二模具板与第一模具板具有凹槽的一面闭合,所述凹槽与第二模具板的表面构成空腔;在第二模具板与第一模具板闭合后,使空腔内的塑封材料固化,形成塑封层。
可选的,所述模具为具有空腔的容器,且所述空腔通过通孔与外部连通。
可选的,在所述模具内形成塑封层的工艺包括:向所述通孔内注入流体的塑封材料,直至所述空腔内填充满塑封材料;在填充满所述空腔之后,对所述塑封材料进行固化,在所述空腔内形成塑封层。
可选的,所述塑封层的形成工艺包括:提供塑封板;对所述塑封板进行打孔工艺,形成塑封层、以及贯穿所述塑封层的第一开口。
可选的,所述打孔工艺为激光打孔工艺或水刀工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造