[发明专利]封装方法有效
申请号: | 201410220102.4 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN103972113B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 石磊;陶玉娟 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 方法 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括:
形成塑封层,所述塑封层具有若干承载区、以及位于承载区之间的切割区,所述承载区内具有若干贯穿所述塑封层的第一开口,所述塑封层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;
在所述塑封层的第一表面形成绝缘层,所述绝缘层内具有暴露出第一开口的第二开口,所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸,所述第二开口还暴露出位于承载区内的第一开口周围的部分塑封层表面;
在所述第一开口和第二开口内填充满导电材料,在所述第一开口和第二开口内形成引脚结构,所述绝缘层暴露出引脚结构的第一表面,所述塑封层暴露出引脚结构的第二表面;
提供芯片结构,所述芯片结构表面具有若干芯片连接端;
将所述芯片结构倒装于塑封层承载区表面的绝缘层上,使所述芯片连接端与引线框架结构内的引脚结构第一表面电连接;
在绝缘层表面、芯片结构表面、引线结构第一表面形成封料层,所述封料层包裹所述芯片结构、并填充满绝缘层和芯片结构之间的空间;
沿所述塑封层的切割区对所述封料层、绝缘层和塑封层进行切割,形成封装结构,所述封装结构内的引脚结构侧壁表面具有绝缘层和塑封层覆盖。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述塑封层的形成工艺包括:提供具有空腔的模具,所述空腔的形貌结构与所需形成的塑封层的形貌结构相同;向模具内的空腔注入塑封材料,直至所述空腔被填充满,形成塑封层;在形成塑封层之后,去除所述模具。
3.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述模具包括具有凹槽的第一模具板、以及第二模具板,当所述第一模具板具有凹槽的一面与第二模具板相互闭合时,所述凹槽与第二模具板的表面构成空腔。
4.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在所述模具内形成塑封层的工艺包括:向第一模具板的凹槽内注入流体的塑封材料,直至塑封材料填充满所述凹槽,所述塑封材料的表面高于或齐平于所述第一模具板的表面;在注入塑封材料之后,使第二模具板与第一模具板具有凹槽的一面闭合,所述凹槽与第二模具板的表面构成空腔;在第二模具板与第一模具板闭合后,使空腔内的塑封材料固化,形成塑封层。
5.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述模具为具有空腔的容器,且所述空腔通过通孔与外部连通。
6.如权利要求5所述的封装方法,其特征在于,在所述模具内形成塑封层的工艺包括:向所述通孔内注入流体的塑封材料,直至所述空腔内填充满塑封材料;在填充满所述空腔之后,对所述塑封材料进行固化,在所述空腔内形成塑封层。
7.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述塑封层的形成工艺包括:提供塑封板;对所述塑封板进行打孔工艺,形成塑封层、以及贯穿所述塑封层的第一开口。
8.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述打孔工艺为激光打孔工艺或水刀工艺。
9.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述打孔工艺包括:在塑封板表面形成掩膜层,所述掩膜层暴露出需要形成第一开口的塑封板表面;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀所述塑封板以形成所述第一开口,直至所述第一开口贯通所述塑封板。
10.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述绝缘层包括:形成于塑封层表面的第一子绝缘层、以及形成于第一子绝缘层表面的第二子绝缘层,所述第一子绝缘层内具有第二开口,所述第二子绝缘层内具有与第二开口贯通的第三开口,所述第三开口位于塑封层承载区的对应位置内;在第一开口、第二开口和第三开口内填充满导电材料,形成所述引脚结构。
11.如权利要求10所述的封装方法,其特征在于,所述第一子绝缘层的材料为阻焊材料,所述第二子绝缘层的材料为阻焊材料。
12.如权利要求11所述的封装方法,其特征在于,所述第一子绝缘层的材料为光致阻焊材料,所述第一子绝缘层的形成工艺包括:采用喷涂或旋涂工艺在塑封层的第一表面形成第一绝缘膜;对所述第一绝缘膜进行曝光显影,以去除需要形成第二开口的部分第一绝缘膜,暴露出部分塑封层表面和第一开口,形成第一子绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造