[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及电子器件例如有机发光二极管和有机薄膜晶体管，并且更具体涉及制造电子器件的方法，所述电子器件包含具有表面层的基底以及在所述表面层上的限定阱的堤岸结构(well-defining bank structure)，并且涉及包含基底和限定阱的堤岸结构的电子器件，该基底具有表面层。

背景技术

如申请人的较早申请PCT/GB2010/002235(2011年6月16日以WO2011/070316A2公开，发明人Crankshaw和Dowling)中所示，涉及从溶液沉积活性成分的电子器件制造方法(溶液加工)已经被广泛研究。如果从溶液沉积活性成分，那么一个问题是如何将活性成分容纳在基底的期望区域中。该问题的一种解决方案是提供包含限定出阱的图案化堤岸层的基底，可以从溶液在所述阱中沉积活性成分。当溶液干燥时，所述阱容纳溶液，使得活性成分保留在由所述阱限定的基底的区域中。

已经发现这些方法特别有用于从溶液沉积有机材料。该有机材料可以是导电的、半导电的和/或光电活性的，使得当电流通过它们时它们能发射光或者当光射到它们上时通过产生电流来检测光。利用这些材料的器件被称为有机电子器件。如果有机材料是发光材料，那么该器件被为有机发光器件(OLED)。此外，溶液加工允许薄膜晶体管(TFT)并且特别是有机薄膜晶体管(OTFT)的低成本、低温制造。在这样的器件中，在合适区域内并且特别是在器件的沟道内包含有机半导体(OSC)是特别重要的，并且已知提供限定阱的堤岸结构以便容纳OSC。

一些器件可能需要不只一个溶液沉积层。典型的OLED(例如在显示器中使用的OLED)可以具有两层有机半导体材料—其一者可以是一层发光材料，例如发光聚合物(LEP)，并且另一者可以是一层空穴传输材料，例如聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。

简单的堤岸结构具有单一材料/层，其被设计用以依次容纳所有的沉积液体。所有层延伸至此类器件中的(大致)相同定位点可以在该点处产生边缘效应，和/或所述堤岸材料可以不表现出全部所用液体的最佳性能(例如润湿行为)。此外，对于所有的沉积液体具有单一堤岸材料和单一定位点的器件，在溶液沉积层任一侧的电极之间存在电泄漏路径或短路的风险。如图1a和1b中所示，在包含HIL-IL-EL-阴极结构的OLED结构中，该泄漏路径可以由如下引起：阴极与堤岸上的空穴注入层(HIL)产生直接接触(图1a)、堤岸上的极薄的器件叠层(图1b)、或定位点处的点接触。这可以在图2a和2b的相应器件结果中看出，其中完全印刷的器件(虚曲线)的JV曲线(电流密度-电压；图2a)示出了当反向驱动(例如以-4V)时并且在接通(例如以1V)之前的高泄露(高电流)。利用旋涂的夹层(IL)和电致发光层(EL)(粗的实曲线)，泄露低得多，因为HIL被上方的旋涂膜完全覆盖。相应的效率曲线(图2b)反映了该一点，且完全印刷的情形显示出低得多的效率。

考虑到上述，为沉积在阱中的不同液体提供两个不同定位点的双堤岸结构在某些情况下可以是有利的。图3a和3b显示了在具有单一定位点的双堤岸配置(图3a)和具有双定位点的双堤岸配置(图3b)之间的对比。

WO2009/077738(PCT/GB2008/004135，公开于2009年6月25日，发明人为Burroughes和Dowling，申请人为剑桥显示技术有限公司)公开了为在阱中沉积的不同流体提供两个不同定位点的双堤岸结构，一个在阱周围的第一层的边缘，而一个在从阱退后的第二层的边缘。

WO2011/070316(上文所提到的)公开了一种制造包含双堤岸阱限定结构的电子器件的方法，并且目的是允许将不同的流体分别定位至且容纳于两个堤岸内。然而，WO2011/070316的方法需要用于去除一部分第一绝缘层的光图案化步骤。

因此，期望提供允许将不同液体独立定位并容纳在阱内的改良结构和/或制造这样的结构的方法。该改良结构可以具有一个或多个优势，例如尤其是允许更紧凑的器件、降低的结构复杂性和/或以更少加工步骤制造的能力，其中任一种可以导致器件制造的改良的时间或成本效率和/或改良的器件产率和/或可重复性，和/或对组分材料的体积和/或数量的需求减少，这可以例如导致成本降低。

发明内容