[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述电子器件包含具有表面层的基底和在所述表面层上的限定阱的堤岸结构，该方法包括：

选择性地向所述表面层施加表面处理以改变所述表面层的第一区域或第二区域的表面能，使得第一溶液在沉积于所述第一区域上时的接触角高于所述第一溶液在沉积于所述第二区域上时的接触角，所述第一区域围绕且邻近于所述第二区域；以及

在所述表面层上沉积限定阱的堤岸结构，所述堤岸结构包含电绝缘材料并且围绕所述第一区域；

将所述第一溶液沉积到所述表面层的第二区域上并且干燥所述沉积的第一溶液以形成层；以及

将第二溶液沉积在由第一溶液形成的层上方并且沉积到第一表面层区域上，

其中沉积的第一溶液在所述表面层的所述第一区域和第二区域之间的边界处具有定位点并且沉积的第二溶液具有另外的不同定位点。

2.根据权利要求1的方法，其中所述表面处理降低所述第一区域的润湿性。

3.根据前述权利要求中任一项的方法，该方法包括：

在所述表面层的所述第一区域或所述第二区域上提供牺牲层区域以防止在所述表面处理期间所述第一区域和第二区域中另一个的表面能的所述改变；

施加所述表面处理；以及

至少部分地去除所述牺牲层区域。

4.根据权利要求3的方法，其中所述提供所述牺牲层区域包括：

在所述表面层上沉积牺牲层；

进行光刻以便用光致抗蚀剂选择性地覆盖所述牺牲层的所述牺牲层区域并且选择性地暴露所述牺牲层的其它区域；

去除所述牺牲层的所述暴露区域以便通过所述选择性覆盖的光致抗蚀剂来阻止所述牺牲层区域的去除；和

在去除所述牺牲层的所述暴露区域之后去除所述选择性覆盖的光致抗蚀剂。

5.根据权利要求3和4中任一项的方法，其中所述的部分去除所述牺牲层区域是通过至少一个加工步骤来进行，所述至少一个加工步骤是在所述表面处理之后在去除剩余的所述牺牲层区域之前进行。

6.根据权利要求3至5中任一项的方法，其中牺牲层的初始沉积的厚度在10-50nm范围内。

7.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述表面处理包括蒸气暴露，优选地硅烷蒸气暴露。

8.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述牺牲层区域包含氧化钨。

9.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述表面层包含氧化铟锡。

10.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述电子器件是发光器件，并且其中第一溶液包含第一有机半导体材料并且是用于提供空穴注入层。

11.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述电子器件是发光器件，并且其中第二溶液包含第二有机半导体材料并且是用于提供夹层或发光层。

12.根据前述权利要求中任一项的方法，其中当沉积在所述表面层的第一区域上时所述第一溶液的接触角是50°或者更大。

13.根据前述权利要求中任一项的方法，其中当沉积在所述表面层的第二区域上时所述第一溶液的接触角是10°或更小。

14.根据任一前述权利要求的方法，其中第二溶液的定位点是在所述表面层的所述第一区域与所述堤岸结构之间的边界处。

15.一种包含基底和限定阱的堤岸结构的电子器件，该基底具有表面层，其中限定阱的堤岸结构设置在所述表面层上，所述限定阱的堤岸结构包含电绝缘材料并且围绕表面层的第一区域和第二区域，

该器件包含：

设置在表面层的所述第二区域上的第一可溶液加工的层；和

设置在表面层的所述第一区域上并且在第一可溶液加工的层上方的第二可溶液加工的层，其中

所述第一区域在所述第二区域与所述堤岸结构之间并且围绕且邻近于所述第二区域。

16.根据权利要求15的电子器件，其中第一区域和第二区域之间的边界限定了第一层和第二层之间的界面。

17.根据权利要求15或16中任一项的电子器件，其中所述表面层包含氧化铟锡。

18.根据权利要求15至17中任一项的电子器件，其中所述第一和第二层中的至少所述第一层是可通过喷墨印刷沉积的。