[发明专利]降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法

说明书

本发明提供了一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括：a.对掩模板图形进行光学模拟，所述掩模板图形中包含通孔；b.解析所述通孔的轮廓，其中所述轮廓包含多条边；c.计算出该轮廓的边缘定位误差；d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围；e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围，则e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级；e2.依照所述优先级的次序，对所述掩模板图形进行修正；e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形，再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法；以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种降低光学邻近修正的边缘定位误差的方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，光刻工艺处于中心地位，是集成电路生产中最重要的工艺步骤。为了克服由于关键尺寸(Critical Dimension，CD)的缩小而带来的一系列光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，业界采用了很多分辨率增强技术(ResolutionEnhancement Technology，RET)，包括光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)、相移掩模板(Phase Shifting Mask，PSM)等等技术。

光学邻近修正主要是将待曝光模拟图形与目标图形进行比对，建立待曝光图形的修正模式，再利用仿真器依据光照条件以及先前曝光结果等参数，进行一连串复杂的修正计算。

当前，28nm及以下的通孔逻辑区域具有许多对角线或者错列的密集设计。这种密集设计的节距密集且掩模版误差增强因子(Mask Error Enhancement Factor，MEEF)较高，因而会使得OPC收敛劣化，进而容易触及掩模板制造工艺(Mask Rule Check，MRC)的极限。因此，较大的OPC边缘定位误差(Edge Placement Error，EPE)会在现有技术中得以保留并很难被修复。

传统地，可以尝试以下两种方式来克服上述问题：

1)根据几何特征选择较大的EPE边缘，然后选择其相邻边和相对边，用标签控制方式来向外移动该相邻边或者相对边，只要它们不违法掩模板设计规则；

2)优化次分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assistant Feature，SRAF)规则(宽度/长度/间隔)以改变OPC后的形状，该方式可以避免触及MRC极限。

但，随着芯片变得越来越大、越来越复杂，会出现成千上万的EPE误差。因此，手动调试不可能是合适的解决方案。因此，业界亟需一种优化的自动化方法来解决现有技术的上述不足。

发明内容

在现有技术的方法的基础之上，本发明的发明人开发出了一种套新的流程。

具体地，本发明提供了一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括：

a.对掩模板图形进行光学模拟，以模拟所述掩模板图形经光刻后于硅片上所形成的图像，所述掩模板图形中包含通孔；

b.解析所述通孔的轮廓，其中所述轮廓包含多条边；

c.将解析出的通孔的轮廓同该通孔的目标图形进行比较，以计算出该轮廓的边缘定位误差；

d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围；

e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围，则

e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级；