[发明专利]一种晶圆版图的CDSEM测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种晶圆版图的CDSEM测量方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，CD)，关键尺寸的大小从最初的125微米发展到现在的0.13微米，甚至更小，正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

随着半导体器件尺寸的不断缩小，所述器件的逻辑区故障排除(Logic area debug)变得更加困难，因为故障区域或者具有缺陷的地方很难找到，现有技术中寻找缺陷点(weak point)的方法通常为先将所述设计后的版图输入，查找关键层(critical layer)的缺陷点(weak point)，包括有源区(AA)、接触孔(CT)、通孔(VIA)等，现有技术中大都通过测量关键尺寸的扫描电子显微镜(CDSEM)对图案的关键尺寸进行测量，以便查找到所述图案中的存在的缺陷点。

在该过程中，由于版图中的图案都非常相近，在进行缺陷点的检查时通常需要将其中的一个被测图案A作为另一个被测图案B的定位图案(addressing pattern)，将A作为参照，对图案B进行测量，特别是在缺陷点相邻很近的时候，所述方法具有较高的效率。但是所述方法仍存在很多不足，其中被测图案A作为另一个被测图案B的定位图案在进行CDSEM测量时受到电子的轰击，而在对被测图案A进行测量时，需要再次对所述被测图案A进行电子轰击，所以被测图案A在整个测量过程中将受到两次电子的轰击，使得被测图案A的测量结果不够产生偏差，不够准确。

因此，现有技术中对于缺陷点检测时，其中某些被测图案成为定位图案被电子轰击，在测量时会被再次轰击导致测量结果不够准确，而现有技术中并没有方法能够确保测试图案不被作为定位图案，所以需要对现有技术进行改进，以便消除上述难题，提高测量的准确度。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆版图的CDSEM测量方法，包括：

步骤(a)选择测量图案，并检查所述测量图案是否已经用作定位图案；

步骤(b)选择所述测量图案的定位图案，并检测所述定位图案是否为所有测量图案中的一个，以防止所述测量图案作为另一测量图案的定位图案在CDSEM测量中被电子放射多次。

作为优选，在所述步骤(a)中，若所述测量图案已经用作定位图案，则发出警告，并查找到选用所述测量图案作为定位图案的点，对所述点重新选择定位图案，选用测量图案以外的图案作为所述定位图案；

若所述测量图案没有用作定位图案，执行步骤(b)。

作为优选，在所述步骤(b)中，若所述定位图案为所有测量图案中的一个，则发出警告，并对所述定位图案进行重新选择，选用测量图案以外的图案作为所述定位图案。

作为优选，若所述定位图案没有用作测量图案，则对所述定位图案进行编辑。

作为优选，所述方法还包括对所述测量图案进行编辑测量的步骤。

在本发明中通过两个步骤对测量图案进行检查，所述两个步骤分别为检查所述版图中测量图案是否已经用作定位图案，同时检测所述定位图案是否已经作为测量图案，以防止测量图案作为另一测量图案的定位图案，在CDSEM测量中被电子放射多次，以确保所述测量图案测量的准确性。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为本发明一具体实施方式中晶圆版图的CDSEM测量方法的框架图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。