[发明专利]多层陶瓷电容器及其上安装有该多层陶瓷电容器的板有效
| 申请号： | 201410211289.1 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104599839B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 丁海硕;金斗永;金昶勋;李淳哲;尹锺现;金基源 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/224;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,龚振宇 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 及其 装有 | ||
1.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷主体，包括介电层；
第一内电极和第二内电极，设置在陶瓷主体中以彼此面对，介电层置于第一内电极和第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，设置为覆盖陶瓷主体的两个端表面，
其中，陶瓷主体包括作为电容形成部的有效层以及设置在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上的作为非电容部的覆盖层，覆盖层在其中包括至少一个缓冲层，当将覆盖层的厚度定义为tc并将缓冲层的厚度定义为ti时，ti/tc在0.15至0.90的范围内。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在陶瓷主体的沿长度-厚度方向的剖面中，分层区域设置在覆盖层和缓冲层之间的界面以及缓冲层的内部中的至少一个中。
3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，缓冲层具有小于介电层的烧结收缩率的烧结收缩率。
4.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，缓冲层包含从由钙、锶、锆和钛组成的组中选择的一种或更多种。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，从所述组中选择的所述一种或更多种中的每种具有10mol％至90mol％的含量。
6.一种其上安装有多层陶瓷电容器的板，所述板包括其上设置有第一电极焊盘和第二电极焊盘的印刷电路板以及安装在印刷电路板上的多层陶瓷电容器，
其中，多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层；
第一内电极和第二内电极，设置在陶瓷主体中以彼此面对，第一内电极和第二内电极具有位于它们之间的介电层；以及
第一外电极和第二外电极，设置为覆盖陶瓷主体的两个端表面，
陶瓷主体包括作为电容形成部的有效层以及设置在有效层的上表面和下表面中的至少一个表面上的作为非电容部的覆盖层，覆盖层在其中包括至少一个缓冲层，当将覆盖层的厚度定义为tc并将缓冲层的厚度定义为ti时，ti/tc在0.15至0.90的范围内。
7.如权利要求6所述的板，其中，在陶瓷主体的沿长度-厚度方向的剖面中，分层区域设置在覆盖层和缓冲层之间的界面以及缓冲层的内部中的一个或更多个中。
8.如权利要求6所述的板，其中，缓冲层具有小于介电层的烧结收缩率的烧结收缩率。
9.如权利要求6所述的板，其中，缓冲层包含从由钙、锶、锆和钛组成的组中选择的一种或更多种。
10.如权利要求9所述的板，其中，从所述组中选择的所述一种或更多种中的每种具有10mol％至90mol％的含量。
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