[发明专利]面板结构及其制造方法有效
申请号: | 201410211082.4 | 申请日: | 2014-05-19 |
公开(公告)号: | CN104009065A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 谢坤龙;许慈轩;柯聪盈 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种面板结构及其制造方法,且特别是有关于一种具有颗粒复合碳膜离型层的面板结构及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的突飞猛进,显示器已从早期的阴极射线管(cathode ray tube,CRT)显示器逐渐地发展到目前的平面显示器(flat panel display,FPD)。相较于硬质基板(诸如玻璃基板)所构成的平面显示器,由于软性基板(诸如塑料基板)具有可挠曲及耐冲击等特性,因此,近年来已着手研究将主动元件制作于软性基板上的可挠式显示器。
一般来说,可挠式显示器的制作方式是先将软性基板固定在玻璃载具上。之后再于软性基板上进行显示元件的制造程序。待显示元件制造完成以形成显示器之后,再借由使软性基板自玻璃载具上离型,以将此可挠式显示器从玻璃载具上取下。目前已提出的离型方法包括在玻璃载具与软性基板之间形成离型层,其中离型层的形成方法例如是表面改质。然而,部分显示元件的工艺需要更高温度的工艺条件以具有更佳的电性,但是传统的离型层(多为有机材料,例如碳氟化合物或碳氢化合物)的高温耐受度不佳而导致不适用于高温工艺、增加制造所需的时间或成本等问题。举例来说,含氟硅烷(fluoroaklylene silane,FAS)材质的离型层的成本较高,且玻璃表面改质的覆盖性及反应时间无法确定。聚对二甲苯(parylene)材质的离型层在沉积后仍需高温回火以确认表面结晶特性,且工艺复杂及工艺时间较长,另外在后续的高温工艺(例如大于400℃)时离型层表面的有机材料易断键而造成释放气体(outgasing)的问题。此外,传统的软性基板及玻璃载具都为电的不良导体,因此软性基板在离型时容易因静电累积在分离表面而造成软性基板上的显示元件损坏,进而导致工艺良率降低。因此,如何开发出具有良好高温耐受度的离型层的面板结构并改善面板结构的工艺良率实为研发者所欲达成的目标之一。
发明内容
本发明提供一种面板结构及其制造方法,其可适用于高温工艺并可提高此面板结构的工艺良率。
本发明提出一种面板结构,包括软性基板、颗粒复合碳膜离型层以及元件层。颗粒复合碳膜离型层位于软性基板的第一表面上,其中颗粒复合碳膜离型层包括多个颗粒,且每一颗粒的表面具有碳膜。元件层位于软性基板的第二表面上,其中第二表面系相对于第一表面。
其中,更包括一支撑基板,该颗粒复合碳膜离型层位于该支撑基板与该软性基板之间。
其中,该软性基板覆盖该颗粒复合碳膜离型层的一上表面以及一侧表面且在该支撑基板的一边缘区域与该支撑基板接触。
其中,该颗粒复合碳膜离型层的厚度为50nm~500nm。
其中,该些颗粒的材质为无机材料。
其中,该些颗粒包括氧化钛颗粒、氧化硅颗粒或氧化铝颗粒。
其中,该些颗粒的尺寸为大于0纳米,且小于100纳米。
其中,该颗粒复合碳膜离型层的碳原子的重量百分比为5%~30%。
其中,该些颗粒的材质包括金属、合金、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体氮氧化物或上述材质至少两种的组合。
其中,该些颗粒包括氧化锌颗粒、氧化铟锡颗粒、金颗粒、银颗粒、铂颗粒或其它导电性颗粒。
其中,更包含一薄膜晶体管、一彩色滤光片、一黑色矩阵、一有机发光元件、一光电转换元件或前述元件至少两种的组合。
本发明另提出一种面板结构的制造方法,其包括以下步骤。在支撑基板上涂布材料层,材料层中包括多个颗粒以及碳氢氧化合物。进行烧结程序,以使些颗粒表面的碳氢氧化合物产生碳化,以形成颗粒复合碳膜离型层。在颗粒复合碳膜离型层上形成软性基板。在软性基板上形成元件层。进行离型程序,以使得软性基板与支撑基板分离。
其中,该材料层中包括一溶剂、分散于该溶剂内的该些颗粒以及该碳氢氧化合物。
其中,该些颗粒占该材料层的重量百分比为0.1%~10%,且该碳氢氧化合物占该材料层的重量百分比为0.1%~15%。
其中,该烧结程序的温度为300℃~500℃。
其中,该软性基板覆盖该颗粒复合碳膜离型层的一上表面以及一侧表面且在该支撑基板的一边缘区域与该支撑基板接触,且该离型程序包括进行一切割程序,以移除位于该边缘区域的该软性基板,进而使得该软性基板与该支撑基板分离。
其中,该颗粒复合碳膜离型层的厚度为50nm~500nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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