[发明专利]面板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种面板结构，其特征在于，包括：

一软性基板；

一颗粒复合碳膜离型层，位于该软性基板的第一表面上，该颗粒复合碳膜离型层包括多个颗粒，且每一颗粒的表面具有一碳膜；以及

一元件层，位于该软性基板的第二表面上，其中该第二表面相对于该第一表面。

2.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，更包括一支撑基板，该颗粒复合碳膜离型层位于该支撑基板与该软性基板之间。

3.根据权利要求2所述的面板结构，其特征在于，该软性基板覆盖该颗粒复合碳膜离型层的一上表面以及一侧表面且在该支撑基板的一边缘区域与该支撑基板接触。

4.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，该颗粒复合碳膜离型层的厚度为50nm～500nm。

5.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，该些颗粒的材质为无机材料。

6.根据权利要求5所述的面板结构，其特征在于，该些颗粒包括氧化钛颗粒、氧化硅颗粒或氧化铝颗粒。

7.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，该些颗粒的尺寸为大于0纳米，且小于100纳米。

8.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，该颗粒复合碳膜离型层的碳原子的重量百分比为5％～30％。

9.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，该些颗粒的材质包括金属、合金、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体氮氧化物或上述材质至少两种的组合。

10.根据权利要求9所述的面板结构，其特征在于，该些颗粒包括氧化锌颗粒、氧化铟锡颗粒、金颗粒、银颗粒、铂颗粒或其它导电性颗粒。

11.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，更包含一薄膜晶体管、一彩色滤光片、一黑色矩阵、一有机发光元件、一光电转换元件或前述元件至少两种的组合。

12.一种面板结构的制造方法，其特征在于，包括：

在一支撑基板上涂布一材料层，该材料层中包括多个颗粒以及碳氢氧化合物；

进行一烧结程序，以使些该些颗粒表面的碳氢氧化合物产生碳化，而形成一颗粒复合碳膜离型层；

在该颗粒复合碳膜离型层上形成一软性基板；

在该软性基板上形成一元件层；以及

进行一离型程序，以使得该软性基板与该支撑基板分离。

13.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该材料层中包括一溶剂、分散于该溶剂内的该些颗粒以及该碳氢氧化合物。

14.根据权利要求13所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该些颗粒占该材料层的重量百分比为0.1％～10％，且该碳氢氧化合物占该材料层的重量百分比为0.1％～15％。

15.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该烧结程序的温度为300℃～500℃。

16.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该软性基板覆盖该颗粒复合碳膜离型层的一上表面以及一侧表面且在该支撑基板的一边缘区域与该支撑基板接触，且该离型程序包括进行一切割程序，以移除位于该边缘区域的该软性基板，进而使得该软性基板与该支撑基板分离。

17.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该颗粒复合碳膜离型层的厚度为50nm～500nm。

18.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该些颗粒的尺寸大于0纳米，且小于100纳米。

19.根据权利要求12所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该些颗粒的材质包括无机材料、金属、合金、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体氮氧化物或上述材质至少两种的组合。

20.根据权利要求19所述的面板结构的制造方法，其特征在于，该些颗粒包括氧化钛颗粒、氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、氧化锌颗粒、氧化铟锡颗粒、金颗粒、银颗粒、铂颗粒或其它导电性颗粒。