[发明专利]有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法有效
申请号: | 201410211043.4 | 申请日: | 2014-05-19 |
公开(公告)号: | CN104282715B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 崔万燮;金敏佑 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化层 有机发光层 基板 有机发光二极管 第二电极 第一电极 发光区域 折射率 显示器 非发光区域 不重叠 制造 | ||
公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。在一个方面,该OLED显示器包括:包括非发光区域和发光区域的基板;形成在该基板的每个发光区域上的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发光层;形成在所述有机发光层和所述基板上的第二电极;以及形成在所述第二电极上的钝化层。所述钝化层包括与所述有机发光层基本重叠的第一钝化层和与所述有机发光层不重叠的第二钝化层,其中所述第一钝化层的折射率大于所述第二钝化层的折射率。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0077830的优先权,该专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
所描述的技术总体上涉及显示装置及其制造方法,并且更具体地,涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术
信息和通信技术的发展以及信息的多样性创造了对显示装置不断增加的需求。显示装置包括阴极射线管(CRT)和液晶显示器(LCD)。尤其是,有机发光二极管(OLED)显示器由于其独特的特性而是独一无二的。
与LCD不同的是,由于OLED是自发光的,因此OLED显示器不需要光源。因此,OLED显示器一般具有减少的厚度和重量。此外,OLED显示器具有宽视角、低功耗、高亮度以及高响应速度。由于这些优点,OLED显示器作为下一代显示器正被积极研发。
发明内容
一个创造性方面是一种包括具有提高的发光效率的填充物结构的有机发光二极管(OLED)显示器(在下文中可与“OLED显示装置”互换使用)。
另一方面是一种制造包括具有提高的发光效率的填充物结构的OLED显示器的方法。
另一方面是一种OLED显示器,该显示器包括:包括非发光区域和发光区域的基板;形成在该基板的每个发光区域上的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发光层;形成在所述有机发光层和所述基板上的第二电极;以及形成在所述第二电极上的钝化层,其中所述钝化层包括与所述有机发光层基本重叠的第一钝化层和与所述有机发光层不重叠的第二钝化层,其中所述第一钝化层的折射率大于所述第二钝化层的折射率。
另一方面是一种制造OLED显示器的方法,该方法包括:制备包括有机发光层的第一基板和用于密封所述第一基板的第二基板;在所述第一基板与所述第二基板之间放置填充物;将所述第一基板和所述第二基板粘合在一起;以及形成与所述有机发光层重叠的第一钝化层和与所述有机发光层不重叠的第二钝化层,其中所述第一钝化层的折射率大于所述第二钝化层的折射率。
另一方面是一种制造OLED显示器的方法,该方法包括:制备包括有机发光层的第一基板和用于密封所述第一基板的第二基板;在所述第一基板上形成与所述有机发光层不重叠的第二钝化层;在所述第二钝化层与另一第二钝化层之间分布填充物,并且将所述第一基板和所述第二基板粘合在一起;以及通过固化所述填充物形成第一钝化层,其中所述第一钝化层的折射率大于所述第二钝化层的折射率。
附图说明
通过参照附图详细描述所描述技术的示例性实施例,所描述技术的上述和其它方面以及特征将变得更加明显。
图1是根据一实施例的OLED显示器的框图。
图2是沿图1的线II-II’截取的面板的截面图。
图3是根据一实施例的第一钝化层和第二钝化层的截面图。
图4是图2所示的第一钝化层和第二钝化层的平面图。
图5和图6是根据另一实施例的第一钝化层和第二钝化层的截面图。
图7是根据另一实施例的第一钝化层和第二钝化层的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的