[发明专利]有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法有效
| 申请号: | 201410211043.4 | 申请日: | 2014-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN104282715B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
| 发明(设计)人: | 崔万燮;金敏佑 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钝化层 有机发光层 基板 有机发光二极管 第二电极 第一电极 发光区域 折射率 显示器 非发光区域 不重叠 制造 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板,包括多个非发光区域和多个发光区域;
第一电极,形成在所述多个发光区域中的每一个上方;
有机发光层,形成在所述第一电极上方;
第二电极,形成在所述有机发光层和所述基板上方;以及
第一钝化层和第二钝化层,形成在所述第二电极上方,并且分别具有第一折射率和第二折射率,其中所述第一折射率大于所述第二折射率,
其中所述第一钝化层与所述有机发光层重叠,并且所述第二钝化层与所述有机发光层不重叠,并且其中所述第一钝化层不与所述有机发光层直接接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一折射率大于1.6,并且其中所述第二折射率小于1.6。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一钝化层至少由高折射可固化多晶硅形成,并且其中所述第二钝化层至少由低折射紫外线可固化聚合物形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,进一步包括形成在所述有机发光层与相邻的有机发光层之间的像素限定层,其中所述像素限定层关于所述有机发光层形成一角度,并且被配置为沿所述像素限定层的斜面引导从所述有机发光层发出的光。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一钝化层的上表面的截面积大于所述第一钝化层的下表面的截面积。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一钝化层的截面积从所述下表面向所述上表面递增。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机发光层被配置为发出白光,其中所述有机发光二极管显示器进一步包括形成在所述第一钝化层和所述第二钝化层上方的滤色器,并且其中所述滤色器包括形成在所述第一钝化层上方的滤光层和形成在所述第二钝化层上方的用于限定所述滤光层的黑矩阵。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机发光层被配置为发出白光,其中所述有机发光二极管显示器进一步包括形成在所述第一钝化层上方的滤光层,其中所述第一钝化层的截面积从所述第一钝化层的下表面向所述第一钝化层的上表面递增,并且其中所述第二钝化层被堆叠至等于所述滤光层的上表面的高度,以限定所述滤光层。
9.一种制造有机发光二极管显示器的方法,该方法包括:
提供包括有机发光层的第一基板;
提供用于密封所述第一基板的第二基板;
在所述第一基板与所述第二基板之间放置填充物;
将所述第一基板和所述第二基板粘合;以及
利用所述填充物形成i)与所述有机发光层重叠的第一钝化层和ii)第二钝化层,其中所述第二钝化层与所述有机发光层不重叠,
其中所述第一钝化层和所述第二钝化层分别具有第一折射率和第二折射率,并且其中所述第一折射率大于所述第二折射率。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述填充物包括高折射材料和低折射材料,并且所述形成包括:i)利用紫外线辐射固化所述低折射材料,以形成所述第二钝化层;以及ii)固化位于所述第二钝化层与相邻的第二钝化层之间的所述高折射材料,以形成所述第一钝化层。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一折射率大于1.6,并且其中所述第二折射率小于1.6。
12.根据权利要求9所述的方法,其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成滤色器,其中所述滤色器包括与所述第一钝化层相对应的滤光层和与所述第二钝化层相对应的用于限定所述滤光层的黑矩阵。
13.根据权利要求9所述的方法,其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成与所述第一钝化层相对应的滤光层,并且其中所述滤光层由所述第二钝化层限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





