[发明专利]定位治具与制作工艺机台

说明书

技术领域

本发明是有关于一种定位治具与制作工艺机台，且特别是有关于一种可调式定位治具与应用此可调式定位治具的制作工艺机台。

背景技术

在现有的半导体制作工艺中，随着制作工艺线宽的缩减与元件集成度(density)的提高，平坦化技术的更显重要。其中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)即为目前半导体制作工艺中可达到全局平坦化最有效的技术之一。通常而言，化学机械抛光是将基材直接与旋转抛光垫接触，并用载重物在基材的背面施加压力。在抛光期间，旋转抛光垫与操作台旋转，同时在基材的背面保持向下的力，并将磨料和化学活性溶液(通常称为研磨液)涂布于垫片上，通过研磨液与正在抛光的薄膜发生化学反应而开始进行抛光过程。

由于研磨液是高黏稠性(high viscosity)的化学品且通常含有大量的研磨颗粒，因此在进行化学机械抛光制作工艺后必须立即清洗硅芯片，否则容易在硅芯片的表面上凝结成固态残余物。一般而言，清洗步骤可使用刷洗(brush cleaning)、喷洗(spray cleaning)及超音波清洗(ultrasonic cleaning)等方式来进行，目前较普遍的清洗方式是使用稀释的氨水(ammonia)以去除研磨后残留的粒子污染物，或者是稀释后的氢氟酸(hydrofluoric acid)去除微量的金属污染物。

然而，强酸与强碱极易造成铜导线及低介电(low dielectric)材料的损坏，因此在铜制作工艺(copper metallization)中，通常会选用较为温和的有机酸(organic acid)或是有机碱(organic basic)，辅以添加的界面活性剂(surfactant)及螯合剂(chelating agents)，来去除研磨液的微粒子及金属不纯物(metal impurity)。在刷洗过程中，通常会使用两个并列的刷洗件(brusher)来刷洗硅芯片的表面，其中两个并列的刷洗件之间的距离将会影响实际清洗硅芯片的效果。而在两个并列的刷洗件之间的距离调整不当的情况下，便容易造成硅芯片的损伤，并使得制作工艺良率下滑。

发明内容

本发明提供一种定位治具，可具有较佳的使用灵活度。

本发明提供一种制作工艺机台，可具有较佳的制作工艺弹性，并有助于提高制作工艺良率。

本发明的定位治具适用于制作工艺机台，并可用以标定并排设置的两刷洗件之间的距离。定位治具包括主体以及定位块。主体具有多个刻度标记。主体包括延伸部。延伸部具有相对的两侧边以及对应于此两侧边的宽度，其中靠近延伸部的尾端的位置上的宽度小于相对远离尾端的位置上的宽度。定位块滑设于主体。定位块具有承靠面，延伸部适于插入此两刷洗件之间，其中当承靠面与延伸部的此两侧边共同承靠此两刷洗件时，定位块对应于这些刻度标记中的一个，且被对应的刻度标记指示此两刷洗件之间的距离。

在本发明的一实施例中，上述的主体具有第一滑动部，且定位块具有与第一滑动部相配合的第二滑动部。

在本发明的一实施例中，上述的第一滑动部为鸠形凸块，且第二滑动部为鸠形凹槽。

在本发明的一实施例中，上述的第一滑动部为鸠形凹槽，且第二滑动部为鸠形凸块。

在本发明的一实施例中，上述的定位块具有平行于这些刻度标记的端面。当定位块对应于这些刻度标记中的一个时，端面与被对应的刻度标记切齐。

本发明的制作工艺机台包括制作工艺设备以及前述定位治具。制作工艺设备包括容槽与两刷洗件，其中此两刷洗件并列设置于容槽内。

在本发明的一实施例中，上述的制作工艺设备更包括至少一调整机构。调整机构设置于容槽，并连接此两刷洗件中的一个。当延伸部插入此两刷洗件之间，且定位块对应于这些刻度标记中的一个时，调整机构带动连接调整机构的刷洗件，以使此两刷洗件分别抵靠承靠面与延伸部的此两侧边。

基于上述，本发明的定位治具的主体具有锥度(taper)，也就是说，靠近主体的延伸部的尾端的位置上的宽度小于相对远离尾端的位置上的宽度。并且，定位治具的定位块可相对于主体滑移，故在定位治具的定位基准可调变的情况下，可具有较佳的使用灵活度。而本发明的制作工艺机台可透过前述定位治具适度地调整两刷洗件之间的距离，从而具有较佳的制作工艺弹性，并在刷洗待抛光对象的过程中，避免造成待抛光对象的损伤，藉以提高制作工艺良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明