[发明专利]曝光方法、掩膜及芯片基板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片基板、曝光方法及掩膜。

背景技术

在半导体工艺中，光刻工艺(photolithography)对于所产生的芯片的品质而言占了决定性的影响因素之一。在光刻工艺中，掩膜上的图案并无法百分之百无误差地被复制成光刻胶图案，这是受到光学上的因素与光刻胶显影时角缘圆化的因素等影响。

发明内容

本发明实施例提供一种曝光方法、掩膜以及芯片基板(chip substrate)，可使各晶粒的线路布局的线宽较为一致。

本发明的一实施例提供一种曝光方法，其包括：提供一基板；在基板上形成一光刻胶层；以及通过一成像镜头将一掩膜上的多个图案成像于光刻胶层上，以对光刻胶层进行曝光。其中，掩膜具有多个芯片区，每一芯片区包括该图案，这些芯片区的这些图案彼此实质上相同，且这些芯片区的这些图案的线宽由位于掩膜的边缘往位于掩膜的中央呈现增加的趋势。

本发明的一实施例还提供一种掩膜，其包括多个芯片区，每一芯片区包括一图案，且这些芯片区的这些图案彼此实质上相同。这些芯片区的这些图案的线宽由位于掩膜的边缘往位于掩膜的中央呈现增加的趋势。

本发明的一实施例还提供一种曝光方法，其包括：提供一基板；在基板上形成一光刻胶层；以及通过一成像镜头将一掩膜上的图案成像于光刻胶层上，以对光刻胶层进行曝光，其中掩膜具有多个芯片区，且至少有两个芯片区具有实质相同的图案，但这些实质相同的图案分别具有不同的线宽。

本发明的一实施例再提供一种芯片基板，其包括多个晶粒，这些晶粒排列成阵列，且每一晶粒包括一线路布局。这些晶粒的这些线路布局彼此实质上相同，且这些晶粒的这些线路布局的线宽之间的差异小于2％。

附图说明

图1A与图1B为用以绘示本发明的一实施例的曝光方法的流程的示意图。

图2A为图1B中的掩膜的正视示意图。

图2B为图1B中的基板的正视示意图。

图2C为图2B中的基板受到一次曝光的区域的正视示意图。

图3A为图2A的掩膜中的位于边缘的芯片区中的图案的局部正视示意图。

图3B为图2A的掩膜中的位于中央的芯片区中的图案的局部正视示意图。

图4A为图2B的基板在经过半导体工艺后所制成的芯片基板的部分的正视图，其中此部分对应于基板的区域A。

图4B为图4A中的晶粒中的部分线路布局的正视图。

主要元件符号说明

110：基板

112：晶粒区

120：光刻胶层

130：成像镜头

140：掩膜

142：影像光束

144：芯片区

145：图案

150：光源

152：照明光束

212：晶粒

245：线路布局

A、A1、R1、R2、R3、R4：区域

V、W、W1、W2：线宽

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

图1A与图1B为用以绘示本发明的一实施例的曝光方法的流程的示意图，图2A为图1B中的掩膜的正视示意图，图2B为图1B中的基板的正视示意图，而图2C为图2B中的基板受到一次曝光的部分区域的正视示意图。请参照图1A、图1B及图2A至图2C，本实施例的曝光方法包括下列步骤。首先，请参照图1A，提供一基板110，基板110例如为硅基板、其他半导体基板、玻璃基板、塑胶基板或其他适当的基板。之后，在基板110上形成一光刻胶层120，前述提及在基板110上形成一光刻胶层120可以是，直接在基板110上形成一光刻胶层120、在基板上的其他材料层上形成光刻胶层120，或是其他形成方式。形成光刻胶层120的方式例如是以涂布(如旋转涂布)工艺将光刻胶层120涂布于基板110上，或者以其他适当的方式(例如喷印工艺)将光刻胶层120形成于基板110上。