[发明专利]曝光方法、掩膜及芯片基板在审
| 申请号： | 201410209488.9 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104950588A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 谢明富;邱俊尧;陈士棻 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/76;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 芯片 | ||
1.一种曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：
提供一基板；
在该基板上形成一光刻胶层；以及
通过一成像镜头将一掩膜上的多个图案成像于该光刻胶层上，以对该光刻胶层进行曝光，其中该掩膜具有多个芯片区，每一该芯片区包括该图案，所述芯片区的所述图案彼此相同，且所述芯片区的所述图案的线宽由位于该掩膜的边缘往位于该掩膜的中央呈现增加的趋势。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述图案的线宽的该增加的趋势补偿了该成像镜头所形成的像差。
3.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，该光刻胶层为正光刻胶层，所述图案分别为多个遮光图案，且所述芯片区的所述遮光图案的线宽由位于该掩膜的边缘往位于该掩膜的中央呈现增加的趋势。
4.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，该光刻胶层为负光刻胶层，所述图案分别为多个透光图案，且所述芯片区的所述透光图案的线宽由位于该掩膜的边缘往位于该掩膜的中央呈现增加的趋势。
5.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述芯片区的所述图案的线宽的该增加的趋势为分段递增或连续递增。
6.一种掩膜，其特征在于，所述掩膜包括：
多个芯片区，每一该芯片区包括一图案，所述芯片区的所述图案彼此相同，且所述芯片区的所述图案的线宽由位于该掩膜的边缘往位于该掩膜的中央呈现增加的趋势。
7.如权利要求6所述的掩膜，其特征在于，所述图案分别为多个遮光图案，且所述芯片区的所述遮光图案的线宽由位于该掩膜的边缘往位于该掩膜的中央呈现增加的趋势。
8.如权利要求6所述的掩膜，其特征在于，所述芯片区的所述图案的线宽的该增加的趋势为分段递增或连续递增。
9.一种曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：
提供一基板；
在该基板上形成一光刻胶层；以及
通过一成像镜头将一掩膜上的多个图案成像于该光刻胶层上，以对该光刻胶层进行曝光，其中该掩膜具有多个芯片区，且至少有两个芯片区具有相同的所述图案，但所述相同的图案分别具有不同的线宽。
10.如权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，每一所述芯片区具有相同的图案，所述芯片区的所述图案的线宽呈现一固定的变化趋势。
11.一种芯片基板，其特征在于，所述芯片基板包括：
多个晶粒，排列成阵列，每一晶粒包括一线路布局，所述晶粒的所述线路布局彼此相同，所述晶粒的所述线路布局的线宽之间的差异小于2％。
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