[发明专利]一种像素单元及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410208922.1 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN103996697A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 石磊;皇甫鲁江;许晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素单元及其制作方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO),与电力之正极相连,再加上另一个金属阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色,构成基本色彩。
一般来说,OLED的外部量子效率取决于其内部量子效率(internal quantum efficiency)以及光取出效率。目前限制OLED器件出光效率的原因主要有以下两种:
第一、光在电极-空气界面、玻璃-空气界面处发生的全反射会限制光取出,这主要是由于不同介质材料之间折射率差异较大产生的,这一差异导致发光点源仅在一定角度内才可以把光线出射出去,所以不在该角度范围内的光线无论经过多少次反射均无法逃逸到器件外部形成出射光线,最终在器件内部逐渐被材料吸收;
第二、经界面反射后的光线在介质材料内形成波导模式,经传导后被材料吸收。
图1示出了现有技术中OLED单元的横截面结构示意图。如图1所示,所述OLED单元包括:阳极层1、像素定义层2、有机发光层3和阴极层4。所述阳极层1包括多个阵列分布的像素阳极;所述像素定义层2覆盖在所述阳极层1之上,并在每个像素阳极上露出发光区域,所述有机发光层3位于所述发光区域内,且所述阴极层位于所述有机发光层3上。从形成的结构看,每个发光区域内的有机发光层3之间完全被所述像素定义层2所填充。此外,所述像素阳极的面积与所述发光区域的面积大小差不多,因此导致所述有机发光层3从侧面出射的光线L在像素定义层2中的光程较长,且有一部分光线经过像素定义层2之后直接入射至底层的玻璃基板后被吸收,而无法从显示屏出射出去。
发明内容
本发明为解决OLED背板的光取出效率低下的问题,提出了一种像素单元及其制作方法、显示装置,用以提高光取出效率。
根据本发明一方面,其提供了一种像素单元,包括:阳极层、像素定义层、有机发光层与阴极层;其中,所述阳极层包括阵列分布的多个像素阳极,所述像素定义层位于所述阳极层之上,且包括多个具有一定间隔的像素定义单元;所述像素定义单元与所述像素阳极一一对应,且每个像素定义单元在对应的所述像素阳极上界定出一发光区域,所述有机发光层位于所述发光区域中,所述阴极层位于所述有机发光层上。
其中,相邻的所述像素定义单元之间的间隔大于其对应的相邻的所述像素阳极之间的间隔。
其中,所述像素定义单元的高度高于所述有机发光层和阴极层厚度之和。
其中,所述像素定义单元的厚度范围介于3~5μm之间,高度介于1.3-2.0μm之间。
其中,相邻的所述像素阳极之间的间隔介于0.5-1.5μm。
其中,所述像素定义单元的凸起表面为具有一定弧度的表面。
根据本发明另一方面,其提供了一种像素单元的制备方法,其包括:
形成阳极层,并对其进行刻蚀形成阵列分布的多个像素阳极;
在所述阳极层上形成像素定义层,并对其刻蚀形成多个具有一定间隔的像素定义单元,所述像素定义单元与所述像素阳极一一对应,且使得每个像素定义单元在其对应的所述像素阳极上界定出一发光区域;
在所述发光区域内形成有机发光层;
在有机发光层上形成阴极层。
所述方法还包括:减薄所述多个像素定义单元的厚度,使得相邻的所述像素定义单元之间的间隔大于其对应的相邻的所述像素阳极之间的间隔。
所述方法还包括:侧面减薄所述多个像素定义单元,使得其凸起表面具有一定弧度。
本发明还公开了一种显示装置,其包括如上所述的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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