[发明专利]一种像素单元及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410208922.1 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN103996697A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 石磊;皇甫鲁江;许晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种像素单元,包括:阳极层、像素定义层、有机发光层与阴极层;其中,所述阳极层包括阵列分布的多个像素阳极,所述像素定义层位于所述阳极层之上,且包括多个具有一定间隔的像素定义单元;所述像素定义单元与所述像素阳极一一对应,且每个像素定义单元在对应的所述像素阳极上界定出一发光区域,所述有机发光层位于所述发光区域中,所述阴极层位于所述有机发光层上。
2.如权利要求1所述的像素单元,其中,相邻的所述像素定义单元之间的间隔大于其对应的相邻的所述像素阳极之间的间隔。
3.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述像素定义单元的高度高于所述有机发光层和阴极层厚度之和。
4.如权利要求1-3任一项所述的像素单元,其中,所述像素定义单元的厚度范围介于3~5μm之间,高度介于1.3-2.0μm之间。
5.如权利要求1-3任一项所述的像素单元,其中,相邻的所述像素阳极之间的间隔介于0.5-1.5μm。
6.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述像素定义单元的凸起表面为具有一定弧度的表面。
7.一种像素单元的制备方法,其包括:
形成阳极层,并对其进行刻蚀形成阵列分布的多个像素阳极;
在所述阳极层上形成像素定义层,并对其刻蚀形成多个具有一定间隔的像素定义单元,所述像素定义单元与所述像素阳极一一对应,且使得每个像素定义单元在其对应的所述像素阳极上界定出一发光区域;
在所述发光区域内形成有机发光层;
在有机发光层上形成阴极层。
8.如权利要求7所述的像素单元的制备方法,其还包括:减薄所述多个像素定义单元的厚度,使得相邻的所述像素定义单元之间的间隔大于其对应的相邻的所述像素阳极之间的间隔。
9.如权利要求7所述的像素单元的制备方法,其还包括:侧面减薄所述多个像素定义单元,使得其凸起表面具有一定弧度。
10.一种显示装置,其包括如权利要求1-6任一项所述的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的