[发明专利]半导体芯片的试验装置以及试验方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的试验装置，其特征在于，包括：

第一接触式探针，其一端与主电极接触，所述主电极与具有主体部和电流检测用的感测部的半导体芯片的所述主体部连接；

第二接触式探针，其一端与感测电极接触；

接触部件，其固定所述第一接触式探针和所述第二接触式探针；

测定单元，其设置于所述第一接触式探针的另一端和所述第二接触式探针的另一端之间，测定流过第二接触式探针的感测电流；

控制电路，其用于控制半导体芯片的开关动作；

导电性支撑体，其支撑所述半导体芯片；

电感，其一端与所述导电性支撑体连接；

电容，其一端与所述电感的另一端连接；

电源，其高电位侧与所述电容的一端连接；以及

布线，分别连接有所述第一接触式探针的另一端、所述电容的另一端以及所述电源的低电位侧并连接到接地电极，

其中，用所述测定单元测定所述感测部的动态雪崩电流。

2.如权利要求1所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，所述测定单元包括：

感测电阻，其连接于所述第一接触式探针和所述第二接触式探针之间，用于检测流过所述第二接触式探针的感测电流；

电压测定器，其用于检测在所述感测电阻上产生的感测电压。

3.如权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

所述感测电阻的电阻值为100Ω～3kΩ。

4.一种半导体芯片的试验方法，是使用所述权利要求1至3中的任一项所记载的所述半导体芯片的试验装置来进行的半导体芯片的试验方法，其特征在于，包括：

将所述第一接触式探针以及所述第二接触式探针分别与所述半导体芯片的所述主体部和所述感测部连接的步骤；

通过所述电源将试验电压施加于所述电容而对该电容充电的步骤；

充电后，输入所述半导体芯片的栅电压，使集电极电流经由所述电感流过所述半导体芯片的主体部和感测部的步骤；

使所述半导体芯片进行开关动作，并使所述半导体芯片的集电极电压上升，使所述半导体芯片被动态雪崩击穿的步骤；

根据所述动态雪崩击穿时的动态雪崩电压，使动态雪崩电流流过所述半导体芯片的所述感测部的步骤；

借助感测电阻将所述动态雪崩电流变换为感测电压的步骤，

其中，测定所述感测电压是否存在跳变，将出现跳变的半导体芯片作为不合格品。

5.如权利要求4的半导体芯片的试验方法，其特征在于，

将所述感测电压的跳变的相对于地电位的峰值超过在所述半导体芯片的栅极施加的负的栅电压的绝对值与所述半导体芯片的栅绝缘膜的绝缘破坏电压相加而得到的电压值的一半的半导体芯片作为不合格品。

6.如权利要求4或5所述的半导体芯片的试验方法，其特征在于，所述半导体芯片是具有感测部的绝缘栅型双极晶体管芯片。