[发明专利]半导体器件制造过程中的工艺控制方法及系统

权利要求书

1.一种半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：收集最新工艺变更信息形成最佳工艺数据库；

S2：在制造执行系统中建立新产品工艺流程，形成第一工艺流程方案；所述第一工艺流程方案中包括制造新产品的每一步工艺的适用条件及工艺程式；

S3：将所述第一工艺流程方案中每一步工艺的适用条件与所述最佳工艺数据库中对应工艺的适用条件一一进行匹配，形成第二工艺流程方案；

其中，对于每一步工艺：

若所述最佳工艺数据库中存在与所述第一工艺流程方案中相同的适用条件，则判断适用条件匹配，并进一步判断是否需要采用原有工艺程式，若需要，则于所述第二工艺流程方案中，该步工艺采用与所述第一工艺流程方案中相同的工艺程式；若不需要，则于所述第二工艺流程方案中，所述制造执行系统自动在该步工艺中导入所述最佳工艺数据库中的最佳工艺程式；

若所述最佳工艺数据库中不存在与所述第一工艺流程方案中相同的适用条件，则判断适用条件不匹配，则于所述第二工艺流程方案中，该步工艺采用与所述第一工艺流程方案中相同的工艺程式，并同时对所述最佳工艺数据库进行升级；

S4：将所述第二工艺流程方案作为最终方案，采用该方案的工艺流程进行新产品的制造。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：于所述步骤S3中，对所述最佳工艺数据库进行升级的方法为：将所述第一工艺流程方案中与所述最佳工艺数据库不匹配的适用条件及该适用条件下的工艺程式导入所述最佳工艺数据库中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：所述适用条件包括厚度或刻蚀比率。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述最新工艺变更信息通过工艺变更系统获得。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：于所述步骤S1中，通过收集器件每一层的工艺适用条件及所述适用条件所对应的最新工艺变更信息组成所述最佳工艺数据库。

6.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：当工程师针对现有产品缺陷对工艺进行变更时，所述最佳工艺数据库同步更新，将数据库中的旧工艺程式替换为最新工艺程式。

7.根据权利要求1所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法，其特征在于：所述最佳工艺数据库的目录包括层信息、工艺步骤描述、适用项目、适用条件及最佳工艺程式。

8.一种半导体器件制造过程中的工艺控制系统，其特征在于：所述工艺控制系统包括一用于存储最新工艺信息的存储器及一用于建立新产品工艺流程的控制器，所述控制器与所述存储器连接，用以将所述存储器中最佳工艺程式自动导入到新产品工艺流程中，且所述工艺控制系统采用如权利要求1-7任意一项所述的半导体器件制造过程中的工艺控制方法。

9.根据权利要求8所述的工艺控制系统，其特征在于：所述控制器中包括一比较模块，用于判断所述存储器中存储的工艺适用条件是否与新产品工艺适用条件相符。

10.根据权利要求8所述的工艺控制系统，其特征在于：所述存储器在所述控制器的控制下存储新产品工艺适用条件及工艺程式。

11.根据权利要求8所述的工艺控制系统，其特征在于：所述存储器与一工艺变更系统相连，用于存储所述工艺变更系产生的最新工艺变更信息。