[发明专利]半浮栅晶体管结构

权利要求书

1.一种半浮栅晶体管结构，所述半浮栅晶体管结构包括：

衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；

栅氧化层，设置在所述衬底的表面上，所述栅氧化层中设有间隔槽，所述间隔槽设置在所述第一N阱区上；

浮栅，设置在所述栅氧化层的表面上，且内部掺杂有P型离子，所述浮栅包括第一浮栅部和第二浮栅部，所述第一浮栅部设置在所述栅氧化层的远离所述衬底的表面上，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部一体设置，且设置在所述间隔槽中；其特征在于，

所述半浮栅晶体管结构还包括：

第一N型离子重掺杂区，设置在所述第二浮栅部中，所述第一浮栅部与所述第一N型离子重掺杂区形成第一pn结二极管；

第一P型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中并与所述第一N型离子重掺杂区相对连接，所述第一P型离子重掺杂区与所述N阱区形成第二pn结二极管，所述第一pn结二极管与所述第二pn结二极管形成两个相互串联的pn结，

或者所述半浮栅晶体管结构还包括：

第一N型离子重掺杂区，设置在所述第二浮栅部中，所述第一浮栅部与所述第一N型离子重掺杂区形成第一pn结二极管；

第一P型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中并与所述第一N型离子重掺杂区相对连接；

第二N型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中且围绕所述第一P型离子重掺杂区设置，所述第一P型离子重掺杂区与所述第二N型离子重掺杂区形成第二pn结二极管，所述第一pn结二极管与所述第二pn结二极管形成两个相互串联的pn结。

2.根据权利要求1所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述第一N阱区中具有设置在所述间隔槽下方的凹槽，所述第一P型离子重掺杂区设置在所述凹槽中。

3.根据权利要求2所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述凹槽的深度0.5～800nm。

4.根据权利要求1所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述第一浮栅部中P型离子浓度为10¹¹～10²¹个/cm³，所述第一N型离子重掺杂区中N型离子浓度为10¹¹～10²¹个/cm³，所述第一P型离子重掺杂区中P型离子浓度为10¹¹～10²¹个/cm³。

5.根据权利要求1所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述第二N型离子重掺杂区中N型离子浓度为10¹¹～10²¹个/cm³。

6.根据权利要求1所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述半浮栅晶体管结构还包括：

层间隔离层，设置在所述浮栅的远离所述衬底的表面上；

控制栅，设置在所述层间隔离层的远离所述衬底的表面上。

7.根据权利要求6所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述控制栅中掺杂有浓度为10¹⁵～10²¹个/cm³的N型杂质离子或P型杂质离子。

8.根据权利要求6所述的半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述层间隔离层为氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层、氧化铪层组成的组中任意一种的单层绝缘层或者多层组合形成的复合绝缘层。