[发明专利]结势垒肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410200502.9 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104009099B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;刘可安;吴煜东;吴佳;史晶晶;杨勇雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种结势垒肖特基二极管，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点圆环形结构的P型掺杂区，所述P型掺杂区圆环形结构的断点处设置为其两端的所述P型掺杂区的空间电荷区在该断点处交迭，空间电荷区是由所述P型掺杂区在三维方向上向N型外延层延伸的。
2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于，还包括结终端部分，所述结终端部分为场限环、结终端或场板。
3.一种结势垒肖特基二极管的制造方法，包括：
提供N型半导体衬底，在所述N型半导体衬底的第一表面上生成N型外延层；
在所述N型外延层的设定区域上进行对准标记的制作、光刻图案化后，执行多次的离子注入形成断点圆环形结构的P型掺杂区，所述P型掺杂区圆环形结构的断点处设置为其两端的所述P型掺杂区的空间电荷区在该断点处交迭，空间电荷区是由所述P型掺杂区在三维方向上向N型外延层延伸的；
在设定区域的外缘区制作结终端；
在所述N型半导体衬底的第二表面上形成阴极欧姆接触，在设定区域的上部形成阳极金属接触；
在所述N型半导体衬底的第一表面上形成钝化层。
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