[发明专利]电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法

说明书

技术领域

各种实施例一般地涉及一种电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法。

背景技术

通常，可使用薄膜沉积技术制造电子装置。可使用半导体工业的典型制造过程(例如，分层、图案化、掺杂、抛光、镀覆和热处理)在晶片级别执行加工电子装置(例如，光电子装置)。各种电子装置和光电子装置可包括功能层或层堆，例如半导体层、电极层、屏障层、电荷传输层等。由于形成的层的形态可取决于分层过程的大量的独立和/或相关的参数(以及所涉及的材料)，并且由于形成的层的形态可进一步影响形成的层的化学和物理性质，所以形成提供预期性质的电子装置的功能层可能是有挑战性的任务。

发明内容

根据各种实施例，可提供一种包括至少一个层的电极，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物。

附图说明

在附图中，相同标号通常在不同示图中始终表示相同部分。附图未必按比例绘制，而是通常把重点放在表示本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1以示意图显示根据各种实施例的电极；

图1B至1E分别以剖视图显示根据各种实施例的电极；

图1F示意性地显示根据各种实施例的电极的表面的表面粗糙度的详细示图；

图2A和2B分别显示根据各种实施例的包括电子电路和电极的电子装置；

图2C显示根据各种实施例的包括电子电路、电极和电子结构的电子装置；

图3显示根据各种实施例的用于制造光电子装置的方法的示意性流程图；

图4A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；

图4B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；

图5A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；

图5B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；

图6A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；

图6B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；

图7A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；

图7B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；

图8A和8B示意性地显示根据各种实施例的例如在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；

图9A和9B分别显示根据各种实施例的布置在电极上方的光电子结构的示意性剖视图；

图10A和10B分别显示根据各种实施例的电子装置的示意性剖视图；

图10C和10D分别显示根据各种实施例的电子装置中的电极的详细剖视图；和

图10E显示根据各种实施例的包括电子电路、金属化结构、电极和光电子结构的电子装置。

具体实施方式

下面的详细描述参照作为说明而显示可实施本发明的特定细节和实施例的附图。

词语“示例性”在这里用于表示“用作例子、实例或说明”。在这里描述为“示例性”的任何实施例或设计不必解释为优选或者解释为优于其它实施例或设计。

针对形成在侧面或表面“上方”的沉积的材料使用的词语“在…上方”可在这里用于表示沉积的材料可“直接”形成在指示的侧面或表面“上方”，例如直接与指示的侧面或表面接触。针对形成在侧面或表面“上方”的沉积的材料使用的词语“在…上方”可在这里用于表示沉积的材料可“间接”形成在指示的侧面或表面“上方”，其中一个或多个另外的层布置在指示的侧面或表面和沉积的材料之间。

通常，在半导体工业中，已开发用于提供高质量薄膜(也称为层或薄层)的过程，其中层可被形成为具有例如预期厚度和形态，具有大范围的预期性质，例如边缘覆盖行为、电子性质和化学性质。薄膜技术可以能够实现可使用半导体工业的过程形成在晶片或载体上的电子装置(例如，光电子装置)的制造。然而，在生长例如几种材料的平滑层时仍然可能出现问题，因为取决于将要被沉积的材料、用作基底(或载体)的材料、和层可按照某一粗糙度生长的沉积条件。

通常，可存在可被用于形成(生长)特定材料的层或薄膜的许多不同的沉积过程或分层过程，例如物理汽相沉积过程(PVD)、化学汽相沉积过程(CVD)、电镀过程或无电沉积过程。