[发明专利]电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法

权利要求书

1.一种电极，包括：

至少一个层，包括包含铝和钛的化学化合物。

2.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个层包括包含铝和钛的金属间化学化合物。

3.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个层包括包含铝和钛的合金。

4.根据权利要求1所述的电极，还包括：

氮化钛层，布置在所述至少一个层上方。

5.根据权利要求1所述的电极，其中所述电极的至少一个表面具有等于或小于3 nm RMS粗糙度的粗糙度。

6.一种电子装置，包括：

电子电路；和

电极，包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物，

其中所述电极按照电气方式与电子电路耦合。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述电子电路包括互补金属氧化物半导体电路。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述电子电路经金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。

9.根据权利要求6所述的电子装置，还包括：

光电子结构，按照导电方式耦合到电极。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述光电子结构被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：

发光装置；

光伏电池；和

光电子传感器。

11.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述光电子结构包括至少一个发光二极管。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述至少一个发光二极管被配置为有机发光二极管。

13.一种电子装置，可包括：

驱动电路；和

电极，耦合到驱动电路，电极包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物；和

负载结构，按照电气方式耦合到电极，

其中所述电极被配置为将驱动电流从驱动电路提供给负载结构。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述驱动电路包括互补金属氧化物半导体电路。

15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述驱动电路经后段制程结构的金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。

16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述负载结构包括光电子结构。

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述光电子结构被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：

发光装置；

光伏电池；和

光电子传感器。

18.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述光电子结构包括至少一个发光二极管。

19.根据权利要求18所述的电子装置，其中所述至少一个发光二极管被配置为有机发光二极管。

20.一种用于制造光电子装置的方法，所述方法包括：

形成电极层堆，电极层堆包括至少钛层和铝层；

对电极层堆进行退火，从而化学化合物由铝层的铝和钛层的钛形成；以及

在电极层堆上方形成光电子结构，其中所述光电子结构按照导电方式耦合到退火的电极层堆。

21.根据权利要求20所述的方法，其中形成电极层堆包括：

形成第一钛层；

在第一钛层上方形成铝层；以及

在铝层上方形成第二钛层。

22.根据权利要求20所述的方法，其中形成电极层堆还包括：在第二钛层上方形成氮化钛层。