[发明专利]闪存的接触结构及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存的接触结构，所述闪存包括共源极区和漏极区，其特征在于，所述闪存的接触结构包括：

栅极，设置在衬底上；

第一导电部，设置在所述衬底上的所述栅极之间；

第二导电部，设置在所述共源极区的第一导电部的上方；

绝缘层，设置在所述漏极区的栅极和第一导电部的上方；

附加绝缘层，设置在所述共源极区的栅极的上方，

其中，所述第一导电部上方具有凹槽，所述凹槽在沟道长度方向上的宽度为W₁，第一导电部在沟道长度方向上的宽度为W₂，且W₁≤W₂，所述凹槽内沉积导电材料形成所述第二导电部。

2.根据权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述第二导电部在沟道长度方向平面内的剖面形状为正漏斗状。

3.根据权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述绝缘层与所述栅极之间以及所述附加绝缘层与所述第一导电部之间还设置有扩散阻挡层。

4.根据权利要求3所述的接触结构，其特征在于，形成所述扩散阻挡层的扩散阻挡材料为氮化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的接触结构，其特征在于，形成所述第一导电部和所述第二导电部的导电材料为钨。

6.根据权利要求1所述的接触结构，其特征在于，形成所述绝缘层和所述附加绝缘层的绝缘材料为氧化硅或氮化硅。

7.一种闪存的接触结构的制造方法，所述闪存包括共源极区和漏极区，其特征在于，包括：

步骤S1，在衬底上形成栅极和第一导电部，所述第一导电部设置在所述栅极之间；

步骤S2，在所述第一导电部和所述栅极上沉积绝缘材料，形成绝缘层；

步骤S3，在所述共源极区内，刻蚀去除所述绝缘层中位于所述第一导电部上方的所述绝缘材料，形成凹槽，其中，所述凹槽在沟道长度方向上的宽度为W₁，所述第一导电部在沟道长度方向上的宽度为W₂，且W₁≤W₂；以及

步骤S4，在所述凹槽内沉积导电材料，形成第二导电部。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：

步骤S31，提供具有开口的掩膜，所述开口在沟道长度方向上的宽度为W₃，且W₃大于W₂；

步骤S32，在所述掩膜的保护下，刻蚀所述绝缘层，得到预设凹槽；

步骤S33，在所述预设凹槽内沉积所述绝缘材料至所述栅极被所述绝缘材料覆盖，形成附加绝缘层；以及

步骤S34，刻蚀去除所述附加绝缘层中位于所述第一导电部上方的所述绝缘材料，形成所述凹槽。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法在所述步骤S2之前还包括扩散阻挡层的形成过程，所述形成过程包括：

在所述栅极和第一导电部的表面沉积扩散阻挡材料；

在所述扩散阻挡材料上设置光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图形化处理以在所述共源极区形成开口；

以所述图形化处理后的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述共源极区的扩散阻挡材料，形成所述扩散阻挡层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述扩散阻挡材料为氮化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料与所述第一导电部采用的材料相同。

12.根据权利要求11所述的闪存接触结构的制造方法，其特征在于，所述导电材料为钨。