[发明专利]一种动态预充控制电路和闪存存储系统

权利要求书

1.一种动态预充控制电路，包括控制单元和预充电单元，所述预充电单元通过位线与一负载连接，其特征在于，

所述控制单元用于控制所述预充电单元对负载的预充电状态；

所述预充电单元用于根据所述控制单元的控制自适应的对负载进行预充电或关断对负载的预充电；

所述控制单元包括第一控制端、第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和第一PMOS管，

所述第一控制端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述反相器的输入端和所述预充电单元的中点连接，所述第一NMOS管的漏极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第一控制端连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极接地，所述反相器的输入端与所述预充电单元连接，所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极与电源连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接。

2.根据权利要求1所述的动态预充控制电路，其特征在于，所述预充电单元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，

所述第二PMOS管的栅极与所述第二控制端连接，所述第二控制端为所述控制单元中第一PMOS管的漏极和第二NMOS管的源极的中点，所述第二PMOS管的源极与电源连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第三控制端连接，所述第三PMOS管的源极与电源连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的漏极和第四NMOS管的源极的中点为所述预充电单元的输出端，所述预充电单元的输出端与所述控制单元中反相器的输入端连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第四控制端连接，所述第三NMOS管的源极与第二PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的漏极与位线连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第四控制端连接，所述第四NMOS管的源极与第三PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的漏极与位线连接。

3.根据权利要求1所述的动态预充控制电路，其特征在于，所述动态预充控制电路还包括第六NMOS管，所述第六NMOS管的栅极与电源连接，所述第六NMOS管的源极与位线连接，所述第六NMOS管的漏极与负载连接。

4.根据权利要求2所述的动态预充控制电路，其特征在于，所述预充电单元用于根据所述控制单元的控制自适应的对负载进行预充电或关断对负载的预充电具体为：

当所述第一控制端输入高电平，并且所述第四控制端输入低电平时，所述第二控制端为低电平；

当所述第一控制端输入低电平，并且所述第四控制端输入高电平时，所述预充电单元对所述负载进行预充电，当所述预充电单元的输出端的电压达到所述反相器的翻转点时，所述第二控制端被充到高电平，所述预充电单元关断对所述负载的预充电。

5.根据权利要求4所述的动态预充控制电路，其特征在于，所述反相器的翻转点为所述预充电单元输出端的静态工作点。

6.根据权利要求2所述的动态预充控制电路，其特征在于，所述第三控制端输入一固定的低电平，所述固定的低电平使得所述第三PMOS管导通。

7.一种闪存存储系统，其特征在于，所述闪存存储系统包括闪存存储器和用于读取所述闪存存储器中数据的灵敏放大器，其中，所述灵敏放大器中包括动态预充控制电路，所述动态预充控制电路包括如权利要求1-6中任一项所述的动态预充控制电路。