[发明专利]一种灵敏放大器和闪存存储装置

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路，

所述偏置电路的一端与电源连接，所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接，所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间；

所述放大电路的第二端与电源连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述偏置电路包括：第一输入端、第二输入端、反相器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；

所述反相器的输入端与所述第一输入端连接，所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第二PMOS管的源极与电源连接；

所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第三PMOS管的源极与电源连接；

所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极接地；

所述第三NMOS管的源极与所述偏置电路的另一端连接，所述偏置电路的另一端为所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极的中点，所述第三NMOS管的栅极与所述放大电路的第三端连接，所述第三NMOS管的漏极接地。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大电路包括第三输入端、第四PMOS管和第四NMOS管；

所述第四PMOS管的栅极与所述第三输入端连接，所述第四PMOS管的源极与电源连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接；

所述第四NMOS管的栅极与所述偏置电路的另一端连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第三输入端输入恒定的低电平，使得所述第四PMOS管处于导通状态。

5.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，

当所述第一输入端输入高电平，所述第二输入端输入低电平时，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通，所述第一NMOS管截止，根据流过所述第二PMOS管的电流向所述放大电路输出第一偏置电压；

当所述第一输入端输入低电平，所述第二输入端输入低电平时，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管和所述第三PMOS管导通，根据流过所述第三PMOS管的电流向所述放大电路输出第二偏置电压。

6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，根据所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值确定所述第二偏置电压与所述第一偏置电压的差值。

7.根据权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值为：

第二PMOS管的数目M乘以第二PMOS管的宽长比与第三PMOS管的数目N乘以第三PMOS管的宽长比的比值，其中，M和N分别为大于1的整数。

8.一种闪存存储装置，其特征在于，所述闪存存储装置包括闪存存储单元和灵敏放大器，所述存储单元和所述灵敏放大器连接，其中，所述灵敏放大器包括如权利要求1-7中任一项所述的灵敏放大器。

9.根据权利要求8所述的闪存存储装置，其特征在于，所述闪存存储装置还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述灵敏放大器的放大电路的第三端连接，所述第五NMOS管的漏极与所述存储单元连接，所述第五NMOS管的栅极与电源连接，所述第五NMOS管用于选通所述存储单元。