[发明专利]一种灵敏放大器和闪存存储装置有效
申请号: | 201410197238.8 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN103956186B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 陈晓璐 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬,邓猛烈 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灵敏 放大器 闪存 存储 装置 | ||
1.一种灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路,
所述偏置电路的一端与电源连接,所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接,所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时,向所述放大电路输出第一偏置电压,当所述灵敏放大器不工作时,向所述放大电路输出第二偏置电压,所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间;
所述放大电路的第二端与电源连接,所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述偏置电路包括:第一输入端、第二输入端、反相器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管;
所述反相器的输入端与所述第一输入端连接,所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接;所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接,所述第二PMOS管的栅极与所述第二输入端连接,所述第二PMOS管的源极与电源连接;
所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接,所述第一NMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极连接,所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第三PMOS管的栅极与所述第二输入端连接,所述第三PMOS管的源极与电源连接;
所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的漏极接地;
所述第三NMOS管的源极与所述偏置电路的另一端连接,所述偏置电路的另一端为所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极的中点,所述第三NMOS管的栅极与所述放大电路的第三端连接,所述第三NMOS管的漏极接地。
3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述放大电路包括第三输入端、第四PMOS管和第四NMOS管;
所述第四PMOS管的栅极与所述第三输入端连接,所述第四PMOS管的源极与电源连接,所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接;
所述第四NMOS管的栅极与所述偏置电路的另一端连接,所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极连接。
4.根据权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第三输入端输入恒定的低电平,使得所述第四PMOS管处于导通状态。
5.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,
当所述第一输入端输入高电平,所述第二输入端输入低电平时,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通,所述第一NMOS管截止,根据流过所述第二PMOS管的电流向所述放大电路输出第一偏置电压;
当所述第一输入端输入低电平,所述第二输入端输入低电平时,所述第一PMOS管截止,所述第一NMOS管和所述第三PMOS管导通,根据流过所述第三PMOS管的电流向所述放大电路输出第二偏置电压。
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器,其特征在于,根据所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值确定所述第二偏置电压与所述第一偏置电压的差值。
7.根据权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值为:
第二PMOS管的数目M乘以第二PMOS管的宽长比与第三PMOS管的数目N乘以第三PMOS管的宽长比的比值,其中,M和N分别为大于1的整数。
8.一种闪存存储装置,其特征在于,所述闪存存储装置包括闪存存储单元和灵敏放大器,所述存储单元和所述灵敏放大器连接,其中,所述灵敏放大器包括如权利要求1-7中任一项所述的灵敏放大器。
9.根据权利要求8所述的闪存存储装置,其特征在于,所述闪存存储装置还包括第五NMOS管,所述第五NMOS管的源极与所述灵敏放大器的放大电路的第三端连接,所述第五NMOS管的漏极与所述存储单元连接,所述第五NMOS管的栅极与电源连接,所述第五NMOS管用于选通所述存储单元。
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