[发明专利]一种可变增益放大器

权利要求书

1.一种可变增益放大器，其特征在于，包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源；

其中，所述第一自偏置晶体管负载为所述可变增益放大器的第一级输出提供共模电平，所述可调电阻负载用于接收控制信号，并基于所述控制信号调整所述可变增益放大器的增益；所述第一差分对管用于接收输入信号并对所述输入信号进行放大得到第一级输出的结果；所述第一电阻用于提高所述可变增益放大器的线性度；所述电流源用于提供所述可变增益放大器工作时的偏置电流。

2.根据权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于：

所述第一自偏置晶体管负载包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述可调电阻负载的第三端连接在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间，所述第一晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第一晶体管的源极与电源第一端连接，所述第二晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第二晶体管的源极与所述电源第一端连接；

所述第一差分对管包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第三晶体管的源极与所述第一电阻的第一端连接，所述第三晶体管的栅极为第一信号输入端，所述第四晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第四晶体管的源极与所述第一电阻的第二端连接，所述第四晶体管的栅极为第二信号输入端；所述第一信号输入端和所述第二信号输入端用于接收所述输入信号，所述可调电阻负载的第一端和第二端用于提供第一级输出的结果；

所述电流源包括栅极依次相连的第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管，所述第五晶体管的漏极连接外部偏置电流源，所述第五晶体管的源极接电源第二端，所述第六晶体管的漏极与所述第一电阻的第一端连接，所述第六晶体管的源极接电源第二端，所述第七晶体管的漏极与所述第一电阻的第二端连接，所述第七晶体管的源极接电源第二端。

3.根据权利要求1或2所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一自偏置晶体管负载为P型金属氧化物半导体PMOS晶体管负载；所述第一差分对管为N型金属氧化物半导体NMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为NMOS晶体管；所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端。

4.根据权利要求1或2所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载；所述第一差分对管为PMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为PMOS晶体管；所述电源第二端为电源正电压端，所述电源第一端为接地端或电源负电压端。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的可变增益放大器，其特征在于，还包括第二差分对管、第二自偏置晶体管负载、第二电阻负载以及第三电阻负载；

其中，所述第二差分对管包括第八晶体管以及第九晶体管，所述第八晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第八晶体管的源极与所述电源第一端连接，所述第九晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极连接，所述第九晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第九晶体管的源极与所述电源第一端连接；所述第八晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极用于接收所述第一级输出的结果；

所述第二自偏置晶体管负载包括第十晶体管和第十一晶体管，所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第十晶体管的源极与所述电源第二端连接，所述第十一晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第十一晶体管的源极与所述电源第二端连接；

所述第二电阻负载的第二端与所述第三电阻负载的第一端连接，所述第二电阻负载的第二端和所述第三电阻负载的第一端均连接在所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极之间，所述第二电阻负载的第一端和所述第三电阻负载的第二端提供第二级输出的结果。

6.根据权利要求5所述的可变增益放大器，其特征在于，当所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端时，所述第二自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载，所述第二差分对管为PMOS差分对管。