[发明专利]钻晶膜的镀膜方法及其设备有效

专利信息
申请号: 201410193120.8 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN103938163B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 王建成 申请(专利权)人: 深圳市深新隆实业有限公司
主分类号: C23C14/26 分类号: C23C14/26;C23C14/06
代理公司: 深圳市精英专利事务所44242 代理人: 李新林
地址: 518000 广东省深圳市宝安区沙井*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 钻晶膜 镀膜 方法 及其 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜方法和设备,更具体地说是指一种用于玻璃基片的镀膜方法和设备。

背景技术

目前,玻璃面板行业采用的镜片多数为普通Na.Ca.Si玻璃,表面硬度6H,不抗划伤,寿命短。产品市场档次、附加值较低。为提高外观表镜档次,增加产品附加值,提高是表面抗划伤能力,市场上多采用天然蓝宝石,表面硬度9H,但成本高、价格昂贵切柔韧度低,容易破碎。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种钻晶膜的镀膜方法及其设备。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

钻晶膜的镀膜方法,包括以下步骤:

1)基片清洗;

2)打开镀膜设备的工作仓,基片装夹于镀膜设备的镀膜架;

3)关闭工作仓,抽真空;

4)对靶材进行预加热,预加热至300-500℃,预热时间为1-2分钟;

5)启用离子源,对基片进行离子清洗,清洗时间为3-5分钟;

6)对基片进行镀膜;靶材加热至1400-1600℃,镀膜时间为3-5分钟,基片的镀膜厚度为40-60nm,基片的表面温度为200-260℃,真空度为0.002Pa-0.005Pa;

7)工作仓的温度自然降温至60℃,释放真空,打开工作仓,取下基片。

其进一步技术方案为:所述的靶材为镧化物,离子清洗时,真空至0.005Pa,再充入氩气至0.02Pa,基片表面的温度为150-250℃。

其进一步技术方案为:所述的镧化物为氧化镧、氯化镧、氟化镧、硝酸镧、碳酸镧、醋酸镧、三氯化镧或氢氧化镧;基片的厚度为0.1-5mm,所述的基片为无机玻璃。

钻晶膜的镀膜设备,包括具有开口的密封腔体,所述的密封腔体联接有真空组件,所述的密封腔体内还设有蒸发源和离子源,及位于密封腔体底部的光源测试组件和设于密封腔体顶部的基片固定架;所述的蒸发源为镧化物蒸发源,包括设于密封腔体底部的热蒸发源支杆、固定于热蒸发源支杆上端的电热板和蒸发源温度传感器,以及设于电热板上的镧化物材料。

其进一步技术方案为:还包括基片加热组件,所述基片加热组件包括设于密封腔体底部的可调式加热支架,所述的加热支架上端设有加热元件和加热温度传感器,所述的加热元件四周设有反光板。

其进一步技术方案为:所述的基片固定架与密封腔体的顶部旋转式联接,密封腔体的顶部还设有驱动基片固定架旋转的基片旋转动力组件;所述的可调式加热支架位于基片固定架边缘的下方,镀膜时,旋转中的基片在可调式加热支架的上方均匀受热。

其进一步技术方案为:所述的基片加热组件还包括调节电机和与调节电机传动联接的螺母螺杆副。

其进一步技术方案为:所述的基片固定架为黑色支架,并且设有基片温度传感器。

其进一步技术方案为:还包括控制电路,所述的控制电路与电热板、蒸发源温度传感器、加热元件、加热温度传感器、基片旋转动力组件、调节电机、基片温度传感器电性连接。

其进一步技术方案为:所述的密封腔体的底部设有作为蒸发源的电子枪;所述的电子枪为二个;所述的密封腔体为圆柱状体,包括机壳本体和与机壳本体活动联接的的活动门,所述的活动门位于外侧并构成所述的开口;机壳本体的内侧设有真空吸气口,所述的真空吸气口与所述的真空组件联接;所述的密封腔体内设有工作区域,及用于分隔真空吸气口与工作区域的分隔组件,所述的工作区域上方设有所述的基片固定架;所述的分隔组件为隔板,所述的隔板上设有若干个通气孔或通气槽。

本发明与现有技术相比的有益效果是:本发明在玻璃基片上采用镧化物作为靶材,并采用电阻式加热蒸发进行镀膜,及镀膜时温度的精密控制,能提高玻璃表面抗划伤能力到8H以上,使玻璃表面硬度达到天然宝石级别,不但提高了产品寿命。并且又弥补了蓝宝石柔韧度不高、容易破碎的缺陷,而成本又有极大的降低。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。

附图说明

图1为本发明钻晶膜的镀膜方法具体实施例的流程图;

图2为本发明钻晶膜的镀膜设备具体实施例的平面示意图;

图3为本发明钻晶膜的镀膜设备具体实施例的俯视剖面示意图;

图4为本发明钻晶膜的镀膜设备具体实施例的电气控制方框图。

附图标记

10 密封腔体 100工作区域

11 机壳本体 12 活动门

17 电子枪 18 隔板

181通气槽 19 真空泵

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