[发明专利]钻晶膜的镀膜方法及其设备

权利要求书

1.钻晶膜的镀膜设备，包括具有开口的密封腔体，所述的密封腔体联接有真空组件，所述的密封腔体内还设有蒸发源和离子源，及位于密封腔体底部的光源测试组件和设于密封腔体顶部的基片固定架以及基片加热组件；其特征在于所述的蒸发源为镧化物蒸发源，包括设于密封腔体底部的热蒸发源支杆、固定于热蒸发源支杆上端的电热板和蒸发源温度传感器，以及设于电热板上的镧化物材料；所述基片加热组件包括设于密封腔体底部的可调式加热支架，所述的加热支架上端设有加热元件和加热温度传感器，所述的加热元件四周设有可调式反光板；还包括用于驱动反光板的传动机构，可以使反光板与加热元件成不同的偏转角度，以使得加热元件与基片固定架之间的距离不同时，偏转角度也发生变化，以使热量集中辐射至基片固定架上的基片，以利于基片表面温度的控制；该传动机构包括上端与反光板连接的传动杆，传动杆的下端联接有联接板，联接板通过螺母螺杆传动副与密封腔体底部下方的角度调节电机传动联接。

2.根据权利要求1所述的钻晶膜的镀膜设备，其特征在于所述的基片固定架与密封腔体的顶部旋转式联接，密封腔体的顶部还设有驱动基片固定架旋转的基片旋转动力组件；所述的可调式加热支架位于基片固定架边缘的下方，镀膜时，旋转中的基片在可调式加热支架的上方均匀受热。

3.根据权利要求2所述的钻晶膜的镀膜设备，其特征在于所述的基片加热组件还包括调节电机和与调节电机传动联接的螺母螺杆副。

4.根据权利要求3所述的钻晶膜的镀膜设备，其特征在于所述的基片固定架为黑色支架，并且设有基片温度传感器。

5.根据权利要求4所述的钻晶膜的镀膜设备，其特征在于还包括控制电路，所述的控制电路与电热板、蒸发源温度传感器、加热元件、加热温度传感器、基片旋转动力组件、基片加热组件的调节电机、基片温度传感器电性连接。

6.根据权利要求1所述的钻晶膜的镀膜设备，其特征在于所述的密封腔体的底部设有作为蒸发源的电子枪；所述的电子枪为二个；所述的密封腔体为圆柱状体，包括机壳本体和与机壳本体活动联接的活动门，所述的活动门位于外侧并构成所述的开口；机壳本体的内侧设有真空吸气口，所述的真空吸气口与所述的真空组件联接；所述的密封腔体内设有工作区域，及用于分隔真空吸气口与工作区域的分隔组件，所述的工作区域上方设有所述的基片固定架；所述的分隔组件为隔板，所述的隔板上设有若干个通气孔或通气槽。

7.采用权利要求1所述镀膜设备的镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：

1)打开镀膜设备的工作仓，基片装夹于镀膜设备的镀膜架；

2)关闭工作仓，抽真空；

3)对靶材进行预加热；

4)启用离子源，对基片进行离子清洗；

5)对基片进行镀膜；靶材加热，基片的表面被镀膜；

6)工作仓降温，释放真空，打开工作仓，取下基片；

其中，所述的靶材为镧化物。

8.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于：

更具体的步骤3)为：对靶材进行预加热，预加热至500℃以上，预热时间为1-2分钟；

更具体的步骤4)为：启用离子源，对基片进行离子清洗，清洗时间为3-5分钟；

更具体的步骤5)为：对基片进行镀膜；靶材加热至1400-1600℃，镀膜时间为3-5分钟，基片的镀膜厚度为40-60nm，基片的表面温度为≧150℃，真空度为0.002Pa-0.005Pa；

更具体的步骤6)为：工作仓的温度自然降温至60℃，释放真空，打开工作仓，取下基片；

离子清洗时，真空至0.005Pa，再充入氩气至0.02Pa,基片表面的温度为≧150℃。

9.根据权利要求7或8所述的镀膜方法，其特征在于所述的镧化物为氧化镧、氯化镧、氟化镧、硝酸镧、碳酸镧、醋酸镧或氢氧化镧；基片的厚度为0.1-5mm，所述的基片为无机玻璃。