[发明专利]全差分放大器在审
| 申请号： | 201410192979.7 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105099380A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;唐华;荀本鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李志刚;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 差分放大器 | ||
1.一种全差分放大器，其特征在于，包括差模运算放大器，所述差模运算放大器包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第一输出晶体管，所述第一输出晶体管的输入端与所述第一晶体管和所述第二晶体管分别相连接；以及
电流支路，所述电流支路的电流输出端与所述第一输出晶体管的输入端相连接，所述电流支路用于向所述第一输出晶体管的输入端输入电流。
2.根据权利要求1所述的全差分放大器，其特征在于，所述第一晶体管包括第一PMOS管，所述第二晶体管包括第二PMOS管，其中，所述第一输出晶体管包括：
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极相连接；以及
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连接，
其中，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连接。
3.根据权利要求2所述的全差分放大器，其特征在于，所述电流支路包括：
第一子电流支路，所述第一子电流支路的输出端与所述第一NMOS管的漏极相连接，所述第一子电流支路用于向所述第一NMOS管的漏极输入电流；以及
第二子电流支路，所述第二子电流支路的输出端与所述第二NMOS管的漏极相连接，所述第二子电流支路用于向所述第二NMOS管的漏极输入电流。
4.根据权利要求3所述的全差分放大器，其特征在于，所述第一子电流支路与所述第二子电流支路所包含的元器件相同。
5.根据权利要求1所述的全差分放大器，其特征在于，所述全差分放大器为通过集成电路形成的全差分放大器。
6.根据权利要求1所述的全差分放大器，其特征在于，所述全差分放大器包括电源输入端，所述电源输入端用于向所述全差分放大器提供电能。
7.根据权利要求6所述的全差分放大器，其特征在于，所述电流支路的输入端与所述电源输入端相连接，所述电流支路用于通过所述电源输入端向所述第一输出晶体管的输入端输入电流。
8.根据权利要求2所述的全差分放大器，其特征在于，所述全差分放大器还包括：
共模反馈支路；以及
共模运算放大器，所述共模运算放大器与所述差模运算放大器通过所述共模反馈支路相连接。
9.根据权利要求8所述的全差分放大器，其特征在于，所述共模运算放大器包括：
子放大器，所述子放大器的输出端与所述第一NMOS管的栅极通过所述共模反馈支路相连接。
10.根据权利要求2所述的全差分放大器，其特征在于，所述差模运算放大器还包括第二输出晶体管，所述第二输出晶体管包括：
第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极相连接；以及
第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极相连接。
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