[发明专利]封装布局和形成封装布局的方法

说明书

技术领域

各种实施例总体涉及封装布局和形成封装布局的方法。

背景技术

半导体芯片通常需要用于保护免受电磁干扰的屏蔽。特别是许多射频应用需要对电磁干扰的屏蔽。

一种方式在于：在有源器件或结构下方使用半导体衬底以用于在芯片级封装中屏蔽。然而，该方法可能不适合，因为可能不存在强电磁干扰或者因为有源器件或结构可能对电磁干扰非常敏感。

另一方式在于：在器件之上的印刷电路板(PCB)层级处形成金属盖。可以例如通过利用导电墨(在碳基底或银基底上)喷涂或者通过物理气相沉积来形成金属盖。

图1A至图1D示出形成诸如球栅阵列之类的封装的方法。图1A是示意图100a，其示出布置在衬底104上的半导体芯片102的截面图，衬底104可以包括路由结构。路由结构可以包括通过电介质层104b彼此隔开的多层金属结构104a。模制材料106可以沉积在半导体芯片102上。图1B是示意图100b，示出了预切割的图1A中形成的结构的截面图。切割沟槽108可以形成为露出金属结构104a的一部分(例如接地接触)。图1C是示意图100c，示出了涂覆有掩蔽层110的图1B中形成的结构的截面图。图1D是示意图100d，示出了单片化为形成多个封装布局112的图1C中形成的结构的截面图。

发明内容

在各种实施例中，可以提供一种封装布局。封装布局可以包括至少一个芯片。封装布局可以进一步包括至少部分地包封芯片的包封材料。封装布局也可以包括在芯片的第一侧之上的重分布结构。封装布局可以进一步包括在芯片的第二侧之上的金属结构。第二侧可以与第一侧相对。封装布局可以附加地包括电耦合到重分布结构和金属结构的半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个，以在重分布结构与金属结构之间形成电流路径。

附图说明

在附图中，贯穿不同的视图，类似的参考标号通常指代相同的部件。附图不一定按比例绘制，而通常强调的是图示本发明的原理。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1示出形成诸如球栅阵列之类的封装体的方法；其中图1A示出了布置在衬底上的半导体芯片的截面图，该衬底可以包括纤维芯体和路由层；其中图1B示出了预切割的图1A中形成的结构的截面图；其中图1C示出了涂覆有掩蔽层的图1B中形成的结构的截面图；其中图1D示出了单片化为形成多个封装布局的图1C中形成的结构的截面图；

图2示出了根据各种实施例的封装布局的截面侧视图；

图3示出了根据各种实施例的形成封装布局的方法；

图4A示出了根据各种实施例的封装布局的截面侧视图；

图4B示出了根据各种实施例的封装布局的平面图；

图5A示出了根据各种实施例的封装布局的截面侧视图；以及

图5B示出了根据各种实施例的封装布局的平面图。

具体实施方式

下面的详细描述参照附图，附图通过图示的方式示出其中可以实施本发明的特定细节和实施例。

这里使用用语“示例性”来指“用作示例、实例或图示”。这里描述为“示例性”的任意实施例或设计不一定被理解为比其他实施例或设计优选或有利。

这里可以使用关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料使用的用语“之上”来指代沉积材料可以“直接形成在暗含的侧面或表面上”，例如与暗含的侧面或表面直接接触。这里可以使用关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料使用的用语“之上”来指代沉积材料可以“间接形成在暗含的侧面或表面上”，其中在暗含的侧面或表面与沉积材料之间布置有一个或多个附加层。

图2是示意图200，示出了根据各种实施例的封装布局的截面侧视图。在各种实施例中，可以提供封装布局。封装布局可以包括至少一个芯片202。封装布局也可以包括至少部分地包封芯片202的包封材料204。封装布局也可以包括在芯片202的第一侧208a之上的重分布结构206。封装布局可以进一步包括在芯片202的第二侧208b之上的金属结构210。第二侧208b可以与第一侧208a相对。封装布局可以附加地包括半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个212，半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个212电耦合到重分布结构206和金属结构210，以在重分布结构206与金属结构210之间形成电流路径。