[发明专利]封装布局和形成封装布局的方法在审

专利信息
申请号: 201410190817.X 申请日: 2014-05-07
公开(公告)号: CN104143545A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: G·贝尔;D·迈尔;U·瓦赫特;D·克雷尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 封装 布局 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种封装布局,包括:

至少一个芯片;

包封材料,至少部分地包封所述芯片;

重分布结构,在所述芯片的第一侧之上;

金属结构,在所述芯片的第二侧之上,其中所述第二侧与所述第一侧相对;以及

半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个,电耦合到所述重分布结构和所述金属结构;

其中所述半导体结构的半导体材料和所述导电塑性材料结构的导电塑性材料中的至少一个形成在所述重分布结构和所述金属结构之间的电流路径。

2.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述重分布结构包括多层结构。

3.根据权利要求2所述的封装布局,

其中所述多层结构包括叠层。

4.根据权利要求3所述的封装布局,

其中所述多层结构包括薄膜多层结构。

5.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述重分布结构耦合到参考电位。

6.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述金属结构被配置为射频屏蔽结构。

7.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述金属结构覆盖所述封装布局的整个第二侧。

8.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个是太阳能级硅。

9.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个是多晶硅。

10.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个由体半导体材料形成。

11.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个与所述重分布结构和所述金属结构中的至少一个物理接触。

12.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个包括在所述芯片外部的至少一个模块,其中所述至少一个模块包括半导体材料和导电塑性材料中的至少一个。

13.根据权利要求12所述的封装布局,

其中所述至少一个模块提供与所述金属结构和参考电位的导电连接。

14.根据权利要求12所述的封装布局,

其中所述至少一个模块布置在所述芯片附近。

15.根据权利要求12所述的封装布局,

其中所述至少一个模块至少部分地布置在所述封装布局的边缘区域中。

16.根据权利要求15所述的封装布局,

其中所述至少一个模块至少部分地布置在所述封装布局的角落区域中。

17.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述至少一个模块包括多个模块。

18.根据权利要求17所述的封装布局,

其中所述多个模块中的模块布置在所述封装布局的相应角落区域中。

19.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述半导体结构包括硅。

20.根据权利要求19所述的封装布局,

其中所述硅包括选自包括以下的组的硅:

单晶硅;

多晶硅;以及

非晶硅。

21.根据权利要求1所述的封装布局,

其中所述至少一个芯片包括多个芯片;

其中所述包封材料至少部分地包封所述多个芯片;

其中所述半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个包括在所述芯片外部的至少一个模块,其中所述至少一个模块包括半导体材料和导电塑性材料中的至少一个;

其中所述模块由所述多个芯片共享以形成针对相应芯片的多个电流路径。

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